рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Плотнейшие упаковки частиц в структуре

Плотнейшие упаковки частиц в структуре - раздел Физика, Элементы симметрии и основы теории групп. Решетки Бравэ Для Устойчивости Кристаллической Структуры Требуется Условие Минимума Потенци...

Для устойчивости кристаллической структуры требуется условие минимума потенциальной энергии. Одним из факторов, уменьшающих потенциальную энергию, является плотнейшая упаковка. Тенденция к осуществлению плотнейшей упаковки свойственна всем типам кристаллических структур, но сильнее всего она выражена в металлических и ионных структурах, где связи не направлены. Плотность упаковки характеризуют координационным числом или координатой компактностью, т. е. отношением объема, занятого атомами, ко всему объему кристалла.

Рис. 31. Плотнейшая однослойная упаковка
Плотнейшими упаковками являются – двухслойная или гексагональная плотнейшая упаковка типа АВ АВ…АВ, и трехслойная кубическая гранецентрированная типа АВС АВС…АВС.

Рассмотрим гексагональную плотнейшую упаковку (ГПУ) на примере модели, построенной из материальных частиц одного сорта, имеющих сферическую симметрию, т. е. из равновеликих несжимаемых шаров, притягивающихся друг к другу. Шары касаются друг друга, заполняя большую часть пространства. Плоский слой шаров, плотнейшим образом прилегающих друг к другу, может быть образован только одним способом. Каждый шар соприкасается с шестью шарами и окружен шестью лунками (пустотами). Каждая лунка окружена тремя шарами. Число лунок (пустот) в слое вдвое больше числа шаров. Если рассмотреть рис. 31, увидим, что часть лунок – это треугольники, обращена вершинами вверх (В), а часть лунок – обращена вершинами вниз (С).

Второй слой шаров укладывается таким образом, чтобы шары располагались в лунках, причем только половина лунок первого слоя будет заполнена шарами второго слоя.

Лунки первого слоя различались только поворотом в плоскости слоя, а координационное окружение у них было одинаковым. Во втором слое образуются пустоты двух типов, различающихся по своему окружению.

а) Над лункой первого слоя находится шар второго слоя. Пустота окружена четырьмя шарами, центры которых образуют правильный тетраэдр. Такие пустоты называются тетраэдрическими Т.

б) Пустота второго слоя находится над пустотой первого слоя; пустота окружена шестью шарами, располагающимися по вершинам октаэдра. Соответственно пустоту называют октаэдрической О.

Число пустот О равно числу шаров, число пустот Т вдвое больше. Размеры пустот между шарами характеризуются радиусом шара, который можно в них разместить. Если принять радиус основного шара за единицу, то радиусы шаров, размещенных в пустотах типа О – 0,41, в пустотах Т – 0,22.

Поскольку во втором слое имеется два типа пустот, шары третьего слоя можно укладывать двояким путем: либо в лунки Т, либо в лунки О.

Если шары третьего слоя уложены в лунки Т, т. е. каждый шар третьего слоя находится над шаром первого слоя, то третий слой повторяет укладку первого. Соответственно получаем укладку …АВ АВ…АВ…

Если шары третьего слоя уложены в лунки О, то так называемый третий слой не повторяет положение первого, получим упаковку …АВС АВС…АВС…

Это и есть плотнейшие двух- и трехслойная упаковки. В этих упаковках коэффициент компактности %, т. е. шары занимают около ¾ объема (рис. 32).

В двухслойной, или гексагональной плотнейшей упаковке (ГПУ) шары четного слоя находятся над шарами четного слоя, а шары нечетного – над шарами нечетного слоя. Каждый шар окружен 12 шарами: шестью в той же плоскости, тремя снизу, тремя сверху, т. е. координационное число равно 12. Сквозные пустоты типа О продолжаются из ряда в ряд, как сплошные каналы. По этим каналам может происходить диффузия примесей в кристалле. Перпендикулярно плотноупакованным слоям через центры октаэдрических пустот проходит ось 63. Гексагональная плотнейшая упаковка характерна для металлов Mg, Be, Zn, Cd, Tl, Ti, Zr, Hf, Sr и др. В гексагональной плотнейшей упаковке

 

 
 

отношение должно равняться 1,633.

В трехслойной или кубической плотнейшей упаковке …АВС АВС…АВС… перпендикулярно слоям плотнейшей упаковки располагается ось симметрии 3. Над пустотой О размещается пустота Т, и наоборот. Сплошных колонок из пустот нет.

Плотноупакованные слои перпендикулярны направлениям á111ñ,

 

 

Рис. 32. Плотнейшие упаковки: (а) – ГЦК; (б) – ГПУ

т. е. объемным диагоналям куба. В этой структуре все плоскости {111} наиболее плотноупакованные, а лежащие в этих плоскостях ряды á110ñ, т. е. диагонали граней – наиболее плотноупакованные. Координационное число также равно 12.

Плотноупакованной структурой типа ГЦК обладают металлы Cu, Au, As, Al, Pb, g-Fe, Ca, Th, Nb, a-Co, Ni, Pd, Jr, Pt (рис. 33).

В пустотах между шарами плотнейших упаковок металлов могут располагаться Si, C, O, H, N, образуя силициды, карбиды, окислы, гидриды, нитриды.

Принцип плотнейшей упаковки остается справедливым и для ионных соединений: анионы образуют плотнейшую упаковку, а катионы размещаются в пустотах.

 
 

Рис. 33. Плотноупакованная структура ГЦК

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Элементы симметрии и основы теории групп. Решетки Бравэ

На сайте allrefs.net читайте: "Элементы симметрии и основы теории групп. Решетки Бравэ"

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Плотнейшие упаковки частиц в структуре

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Кристаллических структур
Основу симметрии кристаллической решетки составляет ее пространственная периодичность – свойство совмещаться с самой

Поворотная ось или ось симметрии
Ось симметрии – это геометрический образ симметричного преобразования – поворота на элементарный угол. Это воображаемая ось,

Плоскость зеркального отражения
Плоскость зеркального отражения или плоскость симметрии - плоскость, которая делит фигуру на две части, расположенные друг о

Центр симметрии
Центр симметрии (центр инверсии) – особая точка внутри фигуры, характеризующаяся тем, что любая прямая, проведенная через це

Составные элементы симметрии
1. Зеркально-поворотная ось. Сочетание поворотной оси с плоскостью зеркального отражения, перпендикулярной данной оси, дает новый элемент симметрии – зеркально-поворотную ось,

Трансляционная симметрия
Основное свойство кристалла – периодичность. Идеальный кристалл – это тело, состоящее из атомов, расположенных в пространственной решетке так, что можно ввести три вектора основных трансляций

Решетки и трансляционная симметрия
Кристаллографическое направление – это направление прямой, проходящей, по крайней мере, через два узла решетки. Пространственная решетка – естественная основа кристаллографических коо

Элементы теории групп
Совокупность всех неэквивалентных элементов симметрии, с помощью которых кристаллическая решетка может преобразовываться сама в себя, образует группу. Точечную группу симметрии кристаллической реше

Свойства операций симметрии
Из рассмотрения операций симметрии вытекают следующие свойства. 1. Если кристаллическая структура характеризуется определенным набором элементов симметрии, то результатом следующих одно за

Элементы симметрии пространственных групп
Основные симметричные преобразования кристаллических структур – это бесконечное повторение, осуществляемое с помощью вектора трансляции, любые два узла решетки можно совместить друг с другом при по

Решетки Бравэ
Материальные частицы (атомы, ионы, молекулы), образующие кристаллическую структуру, располагаются в пространстве закономерно, периодически повторясь в строго определенных направлениях, через строго

Типов решеток Бравэ
По характеру взаимного расположения узлов все кристаллические решетки по Бравэ разбиваются на четыре типа: – примитивные (Р); – базоцентрированные (С); – объемно центриро

Индексы узлов
Положение любого узла в решетке относительно выбранного начала координат определяется заданием трех его координат – x, y, z. Эти координаты можно выразить следующим образом:

Индексы направления
Для описания направления в кристалле выбирается прямая, проходящая через начало координат. Ее положение однозначно определяется индексами u, v, w первого узла, через который она проходит. Поэтому и

Символы плоскостей
Плоские сетки в пространственной решетке и соответствующие им грани кристаллического многогранника характеризуются наклоном

Основные геометрические соотношения в кристаллах
1. Грани кристалла, или система плоскостей, пересекающихся по одному направлению, образуют пояс или зону. А общее направление называется осью зоны. Символ [uvw] характеризует ось зоны. Ура

Гексагональных кристаллов
Гексагональная решетка, состоящая из трех решеток Бравэ, изображена на рис. 23. Ось направлена перпендикулярно плоскости рисунка. Плоскости с первой по шестую (на рисунке изображены проекц

Решение
1) Накладываем кальку на сетку, отмечаем крестиком центр проекции и нулевую точку (j = 0). 2) Отсчитываем заданный угол от jо по основному кругу проекции по часовой стрелке и от

Решение
1) Вращаем кальку так, чтобы заданная точка попала на один из диаметров сетки, и отсчитываем r по диаметру от центра проекции. 2) Делаем отметку на конце диаметра сетки, по которому отсчит

Решение
Рассмотрим произвольную систему осей [100], [010] и [001]. Первая, ближайшая к началу координат плоскость из семейства плоскостей {hkl} отсекает на оси

Точечного комплекса кристалла m3m
Обычно задается плоскость проекции. В качестве примера рассмотрим плоскость (001). Необходимо отметить, что симметрия изображения точечного комплекса на стереографической проекции совпадае

Основные типы структур
Структура кристалла – это конкретное расположение частиц в пространстве. Описывая структуру, надо указать вид и размер частиц, расстояние между ними, вид и параметр элементарной ячейки, базис. Симм

Политипия, изоморфизм, полиморфизм
    Политипия (политипизм) – явлени

Обратная решетка
При рассмотрении расположения атомов в кристалле было введено такое понятие, как решетка. Характеризуя симметрию расположения атомов в пространстве, мы пользуемся симметричными преобразованиями в п

Построение обратной решетки
Рассмотрим элементарную ячейку гранецентрированной решетки. Выделим базисные атомы, соединим их векторами и на этих векторах

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги