рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Электротехника
/
Запоминающие устройства

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Запоминающие устройства

Запоминающие устройства - раздел Электротехника, Пороговые устройства. Триггеры Шмитта. Классификация и основные характеристики полупроводниковых ЗУ Запоминающие Устройства (Зу) Предназначены Для Приема, Хранения И Выдачи Цифр...

Запоминающие устройства (ЗУ) предназначены для приема, хранения и выдачи цифровой информации, представленной двоичными кодами. ЗУ могут использоваться для хранения программ, подпрограмм, исходных, конечных и промежуточных результатов, таблиц, констант и других целей. Основными характеристиками ЗУ являются: емкость, быстродействие, потребляемая мощность, стоимость, надежность.

Емкость ЗУ – максимальное количество информации, которое может в нем храниться. Емкость современных микросхем ЗУ может достигать десятки и сотни Мбайт.

Быстродействие ЗУ оценивается временем цикла записи t_цзп и чтения t_цчт. Иногда используется более общий параметр время обращения t_выб=мах{t_цзп, t_цчт }. Этот параметр может составлять единицы и сотни нс.

Потребляемая мощность в статическом режиме определяется по известной формуле Р=IU. Она указывается либо для всей микросхемы (средняя потребляемая мощность), либо в пересчете на 1 бит хранимой информации (удельная потребляемая мощность). Многие микросхемы ЗУ в различных режимах работы потребляют мощность, отличающуюся на несколько порядков, поэтому для таких микросхем может указываться значение мощности для различных режимов работы. Например, для некоторых микросхем серии К 1537 потребляемая мощность в режимах записи и чтения отличается на три порядка. Практические значения средней потребляемой мощности в статическом режиме составляют от нескольких десятков, сотен мВт до нескольких Вт.

Стоимость находиться в прямой зависимости от емкости, потребляемой мощности, технологии и других факторов.

Надежность полупроводниковых ЗУ оценивается временем наработки на отказ и для большинства микросхем это время составляет несколько десятков тысяч часов.

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Пороговые устройства. Триггеры Шмитта. Классификация и основные характеристики полупроводниковых ЗУ

Комплексная цель третьего модуля... Познакомиться с основами структурной и функциональной организации буферных... Пороговые устройства Триггеры Шмитта...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Запоминающие устройства

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Буферные элементы
Буферные элементы служат для буферирования шин и управляющих сигналов, формирования сигналов (улучшения фронтов), усиления по току, включения или выключения третьего состояния. В основном эти элеме

Формирование импульсов
Устройства, формирующие короткие импульсы по фронтам входного сигнала, называют формирователями импульсов. Сформированные таким образом сигналы можно использовать для установки в но

Генераторы прямоугольных импульсов.
Генераторы предназначены для формирования последовательности электрических импульсов с целью синхронизации работы устройств. В общем случае импульсы могут быть различной формы, но в цифровой техник

Типы ЗУ и их назначение
По своему назначению ЗУ делятся на четыре основных типа: - СОЗУ – сверхоперативное ЗУ; - ОЗУ – оперативное ЗУ; - ПЗУ – постоянное ЗУ; - ВЗУ – вне

Постоянные запоминающие устройства
Внутреннюю структуру большинства схем однократно программируемых ПЗУ можно пояснить на примере микросхемы К556РТ7: Входные у

Наращивание размерности блока постоянной памяти
Предположим, что в соответствии с техническим заданием необходимо разработать блок постоянной памяти емкостью N*M, где N – число слов, М – разрядность, с быстродействием tвыб

Статические оперативные запоминающие устройства
Элементом памяти статических ОЗУ является триггер на биполярных или МДП транзисторах. Статические ОЗУ энергозависимы и могут иметь матричную или словарную организацию. В случае слов

Наращивание размерности блока статического ОЗУ.
Предположим, что в соответствии с техническим заданием необходимо разработать блок статического ОЗУ емкостью N*M, где N – число слов, М – разрядность слов, с быстродействием tв

Динамические оперативные запоминающие устройства
Динамические ОЗУ (ДОЗУ) могут иметь словарную или матричную организацию, но чаще имеют матричную. В качестве элемента памяти используется конденсатор внутри МДП – структуры. Наличие

Часть 1
При выполнении заданий А1 – А10 в бланке ответов под номером выполняемого задания поставьте знак "´" в клеточке, номер которой соответствуе