КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛА

КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛА. Оборудование система измерительная Н2001 Интеграл зонд измерительный ОМ6010 Алгоритм программы разбраковки Алгоритм программы разбраковки кристаллов 564ИЕ10 приведен в табл. 4. Рис.3. Табл. 3. наименование элементов структурыусловное обозначениетип пр-тиматериал слоя наименование ГОСТ, ОСТ, ТУсопротивление слоя sОмтолщина слоя, глубина диффузии мкмзащитный слойН1-SiO2 термический 0.40.05диффузионный карман n-канальнх транзисторовН2pтрехфтористый борОСТ 6-02-4-83750-150091.5защитный слойН3-SiO2 термический 0.30.05области стока, истокаН4pтрехфтористый борОСТ 6-02-4-831101.70.5защитный слойН5-SiO2 термический 0.40.05области стока, истокаН6nфосфор-хлор окисьТУ-09-3537-854020.5защитный слойН7-SiO2 термический 0.350.05диэлектрик затвораН8-SiO2 термический 0.10.01-0.02контактные окна контактные площадки и проводникиН9-заготовки 270х120х28Яе 0.021,157 ТУ-1.20.1защитный слойН10-смесь газовая аргона с моносиланом фоторезист ФП-383ТУ6-02-1228-82 ТУ6-74-632-86- -0.80.1 1.30.2 Табл. 4. Нормы параметров 564 ИЕ10 наименованиенормы цехапогрешностьрежим измеренияномерпараметра не менеене болееUcc,BUo,BUoпор,BUIпор,BUI,BUIH,Bтес тапроверка контактир В 2 1-16Uпроб,B15.0-5 17,18II,мкА-0.064015 01551-56IIH,мкА-0.064015 057-62Icc, мкА-8.0515 01563-93Io, мА1.35-5100.5 01027-34Io, мА0.53-550.4 0519-26IoH,мА0.75-5109.5 01043-50IoH,мА0.63-555 0535-42Uо,B-0.0084010 010102-109UoH,B-0.008-400 100110-118Uo max,B-0.655-1.73.3 119-127UoH min,B4.65-55-1.73.3 128-134Jcc, мкА-5.0 94,96,98,100Jcc, мкА5.0 95,97,99,101