рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Высокие технологии
/
Вид работы: Отчеты по Практике
/
Дополнительные указания

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Дополнительные указания

Работа сделанна в 1997 году

Дополнительные указания - Отчет по Практике, раздел Высокие технологии, - 1997 год - Технология производства К56ИЕ10 и серии м/с К426 и К224 Дополнительные Указания. Микросхемы Упавшие В Ванну С Компаундом Во Время Оку...

Дополнительные указания. Микросхемы упавшие в ванну с компаундом во время окунания партии, взять пинцетом, промыть в чашке с ацетоном, загрузить в кассету и произвести окунание. 5.2 По окончании работы промыть посуду, приспособления и оснастку в ацетоне и протереть салфеткой. В конце каждой рабочей недели слить компаунд из ванн в бак и выровнять поверхность.

Ванну очистить и промыть в ацетоне.

Промывку производить в резиновых перчатках. 5.3 Убрать рабочее место. 5.4 Заказать мастеру компаунд на следующую смену по мере необходимости. 5.5 Срок жизни компаунда не более 5 суток. 5.6 Допускается разбавлять загустевший компаунд ЭОК жидким компаундом вязкостью 35-40 мм до получения рабочей вязкости. 5.7 Слить отработанный компаунд в бочек с полиэтиленовым пакетом, вынуть пакет с компаундом и поместить под вытяжку.

Выдержать не менее 3 суток, после чего заполимеризованнй компаунд можно выбрасывать как бытовой мусор. 5.8 Допускается для герметизации микросхем использовать компаунд Ф047-1 по ТВО 028 312 TK, ТВО 028 312 МК, ТВО 308 211 TK, ТВО 342 911 TK, ТВО 028 001 ТУ. 5.9 Допускается вместо фурацилиновой защитной пасты использовать крем силиконовый.

Л И Т Е Р А Т У Р А 1. Технологический маршрут изготовления кристаллов 564ИЕ10. 2. Технологический маршрут изготовления микросхем К425НК1.

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Технология производства К56ИЕ10 и серии м/с К426 и К224

ВВОДНАЯ ЧАСТЬ Микросхема 564ИЕ10 Микросхема содержит два отдельных четырехразрядных двоичных счетчика. Триггеры каждого из них устанавливаются в… Оборудование линия Лада 4. Окисление 1. Установки СДОМ, АДС. Температура… Температура 1200ОС. О2азот. 10. Вторая фотолитография. Формирование областей сток- исток р-канальных транзисторов и…

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Дополнительные указания

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Операция спецокисление
Операция спецокисление. Оборудование. система диффузионная см табл. 1 стол монтажный СМ-4 А2МО 238 001 ТУ реактор кварцевый 07-0397 реактор кварцевый 07-0541 крючок кварцевый 09-1067 лодочка кварце

МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА
МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА. ИЕ1. Формирование партии пластин. 2. Гидромеханическая отмывка пластин. 3. Химическая обработка. Смесь Каро H2SO4H2O2, перикисьно-амиачная смесь. Оборудование

ОПЕРАЦИЯ СПЕЦОКИСЛЕНИЕ
ОПЕРАЦИЯ СПЕЦОКИСЛЕНИЕ. Оборудование. система диффузионная см табл. 1 стол монтажный СМ-4 А2МО 238 001 ТУ реактор кварцевый 07-0397 реактор кварцевый 07-0541 крючок кварцевый 09-1067 лодочка кварце

ОПЕРАЦИЯ УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА В СМЕСИ КАРО
ОПЕРАЦИЯ УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА В СМЕСИ КАРО. Оборудование. установка химической обработки ЩЦМЗ 240 212 нагреватель ультрачистых сред ЩЦМЗ 031 173 кассета 07-0518 тара межоперационная ЩИТ - 725 пинце

КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛА
КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛА. Оборудование система измерительная Н2001 Интеграл зонд измерительный ОМ6010 Алгоритм программы разбраковки Алгоритм программы разбраковки кристаллов 564

СБОРОЧНОЕ ПРОИЗВОДСТВО
СБОРОЧНОЕ ПРОИЗВОДСТВО. ВВОДНАЯ ЧАСТЬ Микросхема К425НК1 Микросхема интегральная К425НК1 предназначена для работы в блоке управления экономайзера автомобиля, изготавливаемого для народного хозяйств

ОПЕРАЦИЯ НАНЕСЕНИЕ СЛОЯ КОМПАУНДА ОКУНАНИЕМ
ОПЕРАЦИЯ НАНЕСЕНИЕ СЛОЯ КОМПАУНДА ОКУНАНИЕМ. Настоящая операция предусматривает технологический процесс герметизации микросхем методом нанесения слоя компаунда окунанием. Подготовка рабочего места.