Требования к электронным элементам радиоэлектронной аппаратуры
Требования к электронным элементам радиоэлектронной аппаратуры - раздел История, Лекция №1 Краткие сведения по истории электроники
Главные Параметры:
1 Номинальные Зна...
Главные параметры:
1 Номинальные значения и их допуски.
2 Надёжность – свойство сохранять во времени и установленных пределах значения всех параметров.
3 Безотказность – свойство сохранять работоспособность в течение заданного времени и определённых условиях.
4 Долговечность – срок службы, когда параметры достигают минимальных или максимальных значений от допустимых.
5 Ремонтопригодность – приспособленность к предупреждению, обнаружению и устранению отказа.
6 Сохраняемость – свойство оставаться работоспособным в процессе хранения и транспортировки.
7 Интенсивность отказов (l) – отношение числа однотипных элементов (n), отказавших в течение промежутка времени t к произведению числа элементов работоспособных в начале промежутка времени t на этот промежуток. l=n/(Nt)
8 Нагревостойкость (температуростойкость или холодностойкость) – возможность работы при максимальной и минимальной температуре.
9 Влагостойкость.
10 Химостойкость – безотказность работы в газах или парах.
11 Радиационная стойкость – возможность работы под действием светового или ионизирующего излучения.
12 Ударостойкость и вибростойкость.
13 Быстродействие и необходимость работать в нужном диапазоне частот
14 Электрическая прочность – характеризуется предельным напряжением, предельным током и предельной мощностью, выделяющейся в элементе.
15 Минимальные размеры и масса (чем меньше размеры элемента, тем меньше у него предельная мощность).
Краткие сведения по истории электроники... Начало развития электроники конец начало в... В г Лосев О В открыл возможность генерации и усиления электрических колебаний с помощью кристаллического...
Металлы и полупроводник
Френкель Я.И. разработал:
- квантовую теорию п/п;
- ввел понятие о подвижных свободных местах кристаллической решетки п/п (дырок);
- создал теорию генера
Электроны в твёрдых телах
Энергия электрона принимает лишь определённые значения, называемые энергетическими уровнями. При переходе электрона с более высокого уровня на более низкий выделяется квант энергии
Примесная проводимость
Германий, кремний и арсенид галлия – четырёхвалентны, а сурьма, фосфор, мышьяк – пятивалентны. Если к одному атому германия или кремния присоединить элемент пятой подгруппы, то пятый электрон отдаё
Биполярные приборы
р-n переход (симметричный) это соединение двух областей с разными типами проводимости, концентрация основных и неосновных носителей равны между собой. Носители заряда концентрации к
Обратное включение
За счет приложенного напряжения увеличивается потенциальный барьер.
Обратный ток очень ма
Емкости p-n-перехода.
Инжекция – впрыскивание или обогащение. Экстракция – обеднение.
Отличия реального диода от идеального
1. Площадь p-n-перехода в диоде ограничена и поэтому сказываются процессы на границе p-n-перехода.
Наличие кривизны
Импульсные диоды
Используются в устройствах автоматики, вычислительной техники; являются высокочастотными, имеют малую барьерную емкость и сопротивление. В импульсном режиме могут работать также и в
Режим большого сигнала.
Импульс может быть одно или двухполярный.
В режиме большого сигнала входн
Cтабилитроны
Стабилитроны (СТ) - п/п диоды, принцип действия которых основан на использовании пробоя p-n-перехода (электрического пробоя). Существует полевой и лавинный пробой, поэтому используют полевые и лави
Параметры ТД
1) ток пика - ток через ТД в области малых напряжений, при котором производная по току равна нулю (происходит перегиб)
2) напряжение, при котором течет ток пика называют напряжением пика
Обращенные диоды
Это диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном включении вследствие туннельного эффекта больше, чем при прямом напряжении
Варикапы
Это полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости от величины обратного напряжения, и которые предназначены в качестве применения как элемента с электрически у
Параметры БПТ
ВАХ БПТ дают наиболее полную информацию о транзисторе, однако в усилителях малых сигналов его можно представить как активный четырехполюсник, поэтому достаточным является знание h-параметров транзи
Модели БПТ
Наиболее распространенной является модель Эберса-Молла:
Малосигнальные модели БПТ
В простейшем виде биполярный транзистор может быть представлен следующим образом:
Влияние режима работы и температуры на параметры транзистора
Влияние температуры выражается в том, что с изменением температуры возрастает концентрация собственных носителей в областях полупроводника, составляющих р-n переход, что приводит к возрастанию тока
Новости и инфо для студентов