Влияние режима работы и температуры на параметры транзистора
Влияние режима работы и температуры на параметры транзистора - раздел История, Лекция №1 Краткие сведения по истории электроники Влияние Температуры Выражается В Том, Что С Изменением Температуры Возрастает...
Влияние температуры выражается в том, что с изменением температуры возрастает концентрация собственных носителей в областях полупроводника, составляющих р-n переход, что приводит к возрастанию тока насыщения.
;
;
;
, если
,- удельные сопротивления полупроводников и типа;
- коэффициент пропорциональности;
- ширина запрещённой зоны.
Отсюда видна резкая зависимость концентрации собственных носителей от температуры и, ток насыщения зависит от концентрации собственных носителей по квадратичной зависимости, поэтому с увеличением температуры характеристики биполярного транзистора изменяются.
Изменение температуры приводит к изменению таких параметров, как сопротивление эмиттера и коллектора, коэффициент усиления по току и других параметров.
Лекция №13
Влияние величины тока эмиттера на характеристики транзистора и коэффициенты и
1 – область малых токов эмиттера (существенную роль играют процессы рекомбинации, уменьшающие коэффициенты и ,чем<Iэ тем < значение коэффициента );
2 - область средних токов (процессы рекомбинации не влияют на коэффициенты и );
3 – область больших токов (рекомбинация носителей и уменьшение коэффициентов и ).
Краткие сведения по истории электроники... Начало развития электроники конец начало в... В г Лосев О В открыл возможность генерации и усиления электрических колебаний с помощью кристаллического...
Металлы и полупроводник
Френкель Я.И. разработал:
- квантовую теорию п/п;
- ввел понятие о подвижных свободных местах кристаллической решетки п/п (дырок);
- создал теорию генера
Электроны в твёрдых телах
Энергия электрона принимает лишь определённые значения, называемые энергетическими уровнями. При переходе электрона с более высокого уровня на более низкий выделяется квант энергии
Примесная проводимость
Германий, кремний и арсенид галлия – четырёхвалентны, а сурьма, фосфор, мышьяк – пятивалентны. Если к одному атому германия или кремния присоединить элемент пятой подгруппы, то пятый электрон отдаё
Биполярные приборы
р-n переход (симметричный) это соединение двух областей с разными типами проводимости, концентрация основных и неосновных носителей равны между собой. Носители заряда концентрации к
Обратное включение
За счет приложенного напряжения увеличивается потенциальный барьер.
Обратный ток очень ма
Емкости p-n-перехода.
Инжекция – впрыскивание или обогащение. Экстракция – обеднение.
Отличия реального диода от идеального
1. Площадь p-n-перехода в диоде ограничена и поэтому сказываются процессы на границе p-n-перехода.
Наличие кривизны
Импульсные диоды
Используются в устройствах автоматики, вычислительной техники; являются высокочастотными, имеют малую барьерную емкость и сопротивление. В импульсном режиме могут работать также и в
Режим большого сигнала.
Импульс может быть одно или двухполярный.
В режиме большого сигнала входн
Cтабилитроны
Стабилитроны (СТ) - п/п диоды, принцип действия которых основан на использовании пробоя p-n-перехода (электрического пробоя). Существует полевой и лавинный пробой, поэтому используют полевые и лави
Параметры ТД
1) ток пика - ток через ТД в области малых напряжений, при котором производная по току равна нулю (происходит перегиб)
2) напряжение, при котором течет ток пика называют напряжением пика
Обращенные диоды
Это диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном включении вследствие туннельного эффекта больше, чем при прямом напряжении
Варикапы
Это полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости от величины обратного напряжения, и которые предназначены в качестве применения как элемента с электрически у
Параметры БПТ
ВАХ БПТ дают наиболее полную информацию о транзисторе, однако в усилителях малых сигналов его можно представить как активный четырехполюсник, поэтому достаточным является знание h-параметров транзи
Новости и инфо для студентов