Реферат Курсовая Конспект
Входная характеристика для индуцированного канала - раздел История, Лекция №1 Краткие сведения по истории электроники ...
|
Чем больше напряжение на стоке, тем больше ток стока.
Выходные характеристики для индуцированного канала
Лекция №16
Эквивалентные схемы полевых транзисторов
При моделировании ПТ используется тот же самый принцип, что и при моделировании диодов, БП транзисторов и т.д., а именно, основу составляет модель (эквивалентная схема р-п-перехода). Так, например:
где ,,- сопротивления полупроводниковых областей соответствующих электродов;
- источник тока (управляемый), описываемый выражениями для ВАХ;
,- ёмкости затвор-исток и затвор-сток;
,- токи через р-п-переход, описываемые выражениями для ВАХ;
- сопротивления утечки.
Здесь ёмкости и - нелинейные, что затрудняет расчёт; нелинейный также и источник тока. Поэтому представленная схема может быть использована только при машинном расчёте. На практике используются упрощённые модели, где ёмкости представляются постоянными величинами с усреднёнными значениями, токи через р-п-переходы и и сопротивления утечки не учитываются, т.к. р-п-переход смещён в прямом направлении.
После вышеизложенных упрощений эквивалентная схема будет иметь вид:
Для расчета малых сигналов принимаем, что емкость и крутизна в рабочей точке не совпадают.
Аналогично можно получить эквивалентную схему для МОП:
где ,,- сопротивления полупроводниковых областей соответствующих электродов;
,- ёмкости затвор-исток и затвор-сток ( ёмкости перекрытия затвором областей стока и истока);
,- нелинейные барьерные ёмкости соответствующих переходов;
,- токи через р-п-переходы, описываемые выражениями для ВАХ.
Эта модель считается универсальной, т.е. она может быть использована для расчёта статического и динамического режима, для линейных и нелинейных схем (для режимов малого и большого сигналов), для расчёта импульсных устройств.
Часто используют упрощённые модели МОП транзисторов, которые приобретают вид подобный упрощённым схемам для ПТУП.
Частотные характеристики полевых транзисторов
Частотные свойства полевых транзисторов в основном определяются паразитными ёмкостями эквивалентных схем. Наличие ёмкости приводит к тому, что с увеличением частоты, на вход транзистора поступает всё меньше и меньше напряжения и при некотором значении частоты, сигнал будет полностью шунтироваться входной ёмкостью.
В случае импульсных устройств ток задержки определяется постоянной времени .
Кроме того, на процессы оказывает влияние переходная ёмкость .
Максимальный устойчивый коэффициент усиления зависит от величины ёмкостии крутизны и определяется по формуле:
.
Коэффициент широкополосности
- определяет нагрузочную способность каскада (чем больше , тем больше нагрузочная способность).
Длина канала - тоже частотный параметр – определяется временем пролёта носителей через канал
,
где - подвижность,
- длина канала,
- скорость носителей.
Выводы:
1) на частотные свойства самое большое влияние оказывают величины емкости и крутизны;
2) с увеличением Lк растут емкости , т.к. растут площади и происходит уменьшение крутизны;
3) для улучшения работы полевых транзисторов в частотном режиме необходимо уменьшить длину канала, что определяется технологическими возможностями.
Маркировка полевых транзисторов
КП или 1(2)П – кремний, полевой.
1(или 2)П – германий (кремний), полевой.
Пример: КП 103Л
Первый элемент – материал :
К - кремний
Второй элемент – тип транзистора (П –полевой).
Третий элемент - 103 – число, указывающее назначение и свойства транзистора, а также порядковый номер разработки.
101-199 - транзисторы малой мощности (< 0,3 Вт) и низкой частоты;
201-299 - транзисторы малой мощности и средней частоты;
301-399 - транзисторы малой мощности и высокой и сверхвысокой частоты;
401-499 - транзисторы средней мощности (0,3-1,5 Вт) и низкой частоты;
501-599 - транзисторы средней мощности и средней частоты;
601-699 - транзисторы средней мощности и высокой и сверхвысокой частоты;
701-799 - транзисторы большой мощности (>1,5 Вт) и низкой частоты;
801-899 - транзисторы большой мощности и средней частоты;
901-999 - транзисторы большой мощности и высокой и сверхвысокой частоты.
Четвёртый элемент – буквы, указывающие на разновидность транзисторов.
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
Краткие сведения по истории электроники... Начало развития электроники конец начало в... В г Лосев О В открыл возможность генерации и усиления электрических колебаний с помощью кристаллического...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Входная характеристика для индуцированного канала
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов