рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел История
/
Обратное включение

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Обратное включение

Обратное включение - раздел История, Лекция №1 Краткие сведения по истории электроники ...

За счет приложенного напряжения увеличивается потенциальный барьер.

Обратный ток очень мал сопротивление очень большое, дрейфовый ток не изменяется , а диффузионный – мало.

Лекция №4

Вентильным эффектом называется различная проводимость при различном подключении источника.

При смещении в прямом направлении кривизна зонных диаграмм уменьшается на величину приложенного напряжения. При обратном включении увеличивается кривизна зонных диаграмм и ширина p-n-перехода.

В результате контакта двух полупроводников с разным типом электропроводности образуется слой, в котором сосредоточены объемные заряды (остающиеся после диффузии электронов или дырок) и он называется слоем объемного заряда. В слое отсутствуют носители тока, поэтому его еще называют обедненным слоем. Он обладает большим сопротивлением. Вследствие того, что около границы сосредоточены заряды разного типа полярности, он ведет себя по разному при разном приложении входного напряжения. В одном направлении этот слой имеет малое сопротивление (при прямом напряжении), а в другом направлении большое (при обратном напряжении).

Потенциальный барьер, образующийся при контакте областей, определяется концентрацией носителей в областях.

Ψ_к – потенциальный барьер.

- контактная разность потенциалов.

- тепловой потенциал.

Для собственной электропроводности n=p=n_i

Для собственной и примесной электропроводности в состоянии термодинамического равновесия. В электронном полупроводнике n>>p, в дырочном — n>>p.

Произведение концентраций основных носителей на концентрацию неосновных есть величина постоянная для заданной температуры n*p=n_i², поэтому справедливы уравнения:

Исходя из этого, можно записать:

Объемные заряды по обе стороны границы размещены на определенном расстоянии, которое характеризуется толщиной слоя объемного заряда, который в свою очередь зависит от концентрации носителей в областях. Толщина находится решением уравнением Пуассона и обозначается l:

Для симметричных областей справедливо соотношение

если n_n0>>p_p0, тогда

Если p-n-переход несимметричный, то его толщина определяется областью с меньшей концентрацией носителей и зависит от полярности металлургического слоя.

Выражение для определения ВАХ p-n-перехода находится решением уравнения непрерывности.

где I_S – ток теплового насыщения, определяется при обратном включении; D_n (D_p) – коэффициент диффузии; L_n (L_p) – диффузионная длина; τ_n (τ_p) – время жизни.

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

Лекция №1 Краткие сведения по истории электроники

Краткие сведения по истории электроники... Начало развития электроники конец начало в... В г Лосев О В открыл возможность генерации и усиления электрических колебаний с помощью кристаллического...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Обратное включение

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Металлы и полупроводник
Френкель Я.И. разработал: - квантовую теорию п/п; - ввел понятие о подвижных свободных местах кристаллической решетки п/п (дырок); - создал теорию генера

Требования к электронным элементам радиоэлектронной аппаратуры
Главные параметры: 1 Номинальные значения и их допуски. 2 Надёжность – свойство сохранять во времени и установленных пределах значения всех парамет

Электроны в твёрдых телах
Энергия электрона принимает лишь определённые значения, называемые энергетическими уровнями. При переходе электрона с более высокого уровня на более низкий выделяется квант энергии

Примесная проводимость
Германий, кремний и арсенид галлия – четырёхвалентны, а сурьма, фосфор, мышьяк – пятивалентны. Если к одному атому германия или кремния присоединить элемент пятой подгруппы, то пятый электрон отдаё

Биполярные приборы
р-n переход (симметричный) это соединение двух областей с разными типами проводимости, концентрация основных и неосновных носителей равны между собой. Носители заряда концентрации к

Емкости p-n-перехода.
Инжекция – впрыскивание или обогащение. Экстракция – обеднение.

Понятие плавного и резкого p-n-перехода.
Резкий p-n-переход – если концентрация носителей в областях отличается на несколько порядков.

Пробои p-n-перехода.
Различают 3 механизма пробоя p-n-перехода: 1) полевой; 2) лавинный; 3) тепловой (необратимый). Полевой пробой происходит в p-n-переходе, который

Полевой Лавинный
Если напряжение пробоя больше 7В то

Отличия реального диода от идеального
1. Площадь p-n-перехода в диоде ограничена и поэтому сказываются процессы на границе p-n-перехода. Наличие кривизны

Импульсные диоды
Используются в устройствах автоматики, вычислительной техники; являются высокочастотными, имеют малую барьерную емкость и сопротивление. В импульсном режиме могут работать также и в

Режим большого сигнала.
Импульс может быть одно или двухполярный. В режиме большого сигнала входн

Cтабилитроны
Стабилитроны (СТ) - п/п диоды, принцип действия которых основан на использовании пробоя p-n-перехода (электрического пробоя). Существует полевой и лавинный пробой, поэтому используют полевые и лави

Параметры ТД
1) ток пика - ток через ТД в области малых напряжений, при котором производная по току равна нулю (происходит перегиб) 2) напряжение, при котором течет ток пика называют напряжением пика

Обращенные диоды
Это диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном включении вследствие туннельного эффекта больше, чем при прямом напряжении

Варикапы
Это полупроводниковые диоды, в которых используется зависимость емкости от величины обратного напряжения, и которые предназначены в качестве применения как элемента с электрически у

Принцип усиления БПТ
Упрощенная схема усилительного каскада на БПТ КИ=Ивых/Ивх

Статические ВАХ БПТ с ОБ
Для токов через переходы БПТ можно записать Iк=αNIЭП-IКП IЭ=IЭП-αIIКП

Параметры БПТ
ВАХ БПТ дают наиболее полную информацию о транзисторе, однако в усилителях малых сигналов его можно представить как активный четырехполюсник, поэтому достаточным является знание h-параметров транзи

Определение h-параметров по вольт-амперной характеристике БПТ
Для схемы с ОБ

Модели БПТ
Наиболее распространенной является модель Эберса-Молла:

Малосигнальные модели БПТ
В простейшем виде биполярный транзистор может быть представлен следующим образом:

Влияние режима работы и температуры на параметры транзистора
Влияние температуры выражается в том, что с изменением температуры возрастает концентрация собственных носителей в областях полупроводника, составляющих р-n переход, что приводит к возрастанию тока

Ключевой режим работы БПТ

Основные параметры ПТУП
1) крутизна статической стоко-затворной характеристики – представляет собой производную функции тока по напряжению затвора при

Входная характеристика для индуцированного канала
Чем больше напряже

Структура тиристора
Чем ниже концентрация примеси (тут донорной), тем больше рабочие напряжения. Пластина помещается в печь, где происходит диффузия п