Устройство, принципы действия статические характеристики и параметры МДП-транзистора с управляющим р-п-переходом.
Устройство, принципы действия статические характеристики и параметры МДП-транзистора с управляющим р-п-переходом. - раздел Электротехника, Электрические заряды. Строение атома. Энергетические уровни и энергетические зоны. Положительные и отрицательные ионы Структура Такого Транзистора Изготовленного На Основе Полупроводника N-Типа, ...
Структура такого транзистора изготовленного на основе полупроводника n-типа, показаны на рис.5.5, a. В полупроводнике n-типа созданы две области р-типа, образующие управляющий электрод - затвор. На границах между р- и n-областями образуются области объемного заряда (запирающие слои), обедненные подвижными носителями и обладающие большим сопротивлением. При выполнении условия nn<<pp области объемного заряда в основном располагаются в n-полупроводнике. Часть полупроводника n-типа, заключенная между областями объемного заряда, называется каналом. Если к каналу подключить источник внешнего напряжения UСИ, то через него потечет ток, создаваемый движением основных носителей заряда n-области (электронов) от истока к стоку (ICнач). Если на затвор относительно истока подать обратное напряжение, то это приведет к расширению областей объемного заряда, сужению канала, увеличению его сопротивления и уменьшению тока стока (рис.5.6, а). При UЗИ= UЗИотс канал полнстью перекрывается и ток стока уменьшается до 0. Стоковые (выходные) характеристики имеют крутую (1) и пологую (2) области (рис.5.6, б). Переход от крутой области к пологой осуществляется при увеличении напряжения UСИ до некоторого напряжения, при котором происходит "смыкание" областей объемного заряда за счет падения напряжения на канале, создаваемого током стока IС. В этом случае увеличивается обратное напряжение между стоком и затвором, что и приводит к расширению области объемного заряда сужению канала в области стока. При дальнейшем увеличении напряжения UСИ перекрытие областей объемного заряда распространяется в сторону истока и вызывают пропорциональное увеличение сопротивления канала, благодаря чему ток стока с ростом напряжения UСИ почти не изменяется, обеспечивая пологость стоковых характеристик.
Уравнение для крутой области:
IС=2IСИАЧ/IСОТС²[(UЗИОТС-UЗИ)UСИ-0,5UСИ²]
Уравнение для пологой области:
IС=2IСИАЧ/UЗИОТС²(UЗИОТС-UЗИ)²
Условные обазначения на схеме приведены на рис.5.7
При внесении в германий или кремний пятивалентных элементов фосфора Р мышьяка As сурьмы Sb и др четыре валентных электрона примесных атомов... Появление свободных электронов не сопровождается разрушением ковалентных... Подвижные носители заряда преобладающие в ПП наз основными Т о в ПП n типа основными подвижными носителями заряда...
Закон Ома для участка и полной электрической цепи.
Как было отмечено в п. 1.5.1. сила тока в цепи при неизменном значении э.д.с. источника питания зависит от сопротивления этой цепи. Эта зависимость была установлена немецким ученым Георгом Омом в 1
Законы Кирхгофа.
Первый закон Кирхгофа гласит, что сумма всех токов, протекающих через узел, равна нулю. Согласно этому закону применительно к узлу А (рис 1 а) можно записать:
I1+I2-I
Работа и мощность электрического тока.
Работа электрического тока определяется формулой: A=U*I*t (1.11)
Работу, совершаемую в единицу времени называют мощностью:
P=A/t=U*I (1.12)
Если напряжение U измеряется в
Прямое включение ЭДП
Прямым называется такое включение ЭДП, при котором к нему
подключается источник внешнего напряжения Uпр плюсом к p-области и минусом к n-области (рис. 2.7,а). Напряжённость электрического
Влияние температуры на статические характеристики БТ.
С увеличением температуры увеличивается количество генерируемых в p- и n- областях пар электрон-дырка. Это приводит к увеличению в этих областях не основных носителей заряда и пропорциональным сниж
Диоды, резисторы и конденсаторы полупроводниковых ИМС.
Диоды биполярных проводниковых ИМС, как правило, представляют собой транзисторы в диодном включении (рис.6.3).
В качестве резисторов в полупроводниковых ИМС применяются базовые слои транзи
Фоторезисторы
Фоторезистором называют полупроводниковый фотоэлектрический прибор с внутренним фотоэффектом, в котором используется явление фотопроводимости, т е изменение электрической проводимости полупроводник
Фотоприемники
Фотоприемники - это оптоэлектронные приборы, предназначенные для преобразования энергии- оптического излучения в электрическую энергию Функции фотоприемников могут выполнять фоторезисторы, фотодиод
Фототранзисторы
Фототранзистором называют полупроводниковый управляемый оптическим излучением прибор с двумя взаимодействующими p-n-переходами (рис. 7.6)
Фототранзисторы, как и обычные транзисторы, могут
Светодиод
Одним из наиболее распространенных источников оптического излучения является светодиод- полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, преобразующий электрическую энерг
Оптопары
Оптопара (оптрон) -оптоэлектрический п/п прибор, содержащий излучающий и принимающи элементы, оптически и конструктивно связанные друг с другом. В качестве излучателя обычно используются СИД, а в к
Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Новости и инфо для студентов