рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Энергетика
/
Температурная зависимость электропроводности примесных полупроводников

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Температурная зависимость электропроводности примесных полупроводников

Температурная зависимость электропроводности примесных полупроводников - раздел Энергетика, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ ...

Температурная зависимость электропроводности примесных полупроводников более сложная, чем собственных (рис. 4.14). Это связано как с генерацией носителей заряда, так и с механизмом их рассеяния.

На участке “вымерзания примеси” удельная электропроводность полупроводника обусловлена только примесными электронами (участок 1), то есть:

σ_n=еm_nn (4.27)

С учетом (4.24) и (4.17) имеем :

(4.28)

В области “истощения примеси” концентрация носителей заряда не зависит от температуры. Поэтому удельная электропроводность определяется только температурной зависимостью подвижности носителей заряда. При низких температурах доминирует рассеяние электронов на ионизированной примеси, то есть выполняется соотношение (4.27). Тогда:

σ_n ₌ еN_d^.A^.T^3/2 (4.29)

То есть электропроводность полупроводника возрастает (участок 2а). При достаточно высоких температурах возникает рассеяние электронов на тепловых колебаниях узлов кристаллической решетки; тогда верно соотношение (4.18), а электропроводность равняется:

σ_{n =}еАN_d^.T ^-3/2 (4.30)

То есть электропроводность полупроводника с ростом температуры уменьшается (участок 2б). При высоких температурах в области “собственной проводимости” электропроводность с ростом температуры возрастает, согласно (4.23) (участок 3).

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

S x times d... где х ширина d толщина пластины... Зная что сила тока в проводнике с одним типом носителей заряда...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Температурная зависимость электропроводности примесных полупроводников

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Физические процессы в полупроводниках
Классификация полупроводниковых материалов Полупроводник - это вещество, основным свойством которого является сильная зависимость его электропроводности от

Структура и зонные диаграммы собственного и примесного полупроводников
Рассмотрим структуру собственных полупроводников на примере элементарного полупроводника кремния.

Определение типа электропроводности.
Для определения типа электропроводности полупроводника можно использовать эффект Холла.

Используя выражения (4.3 – 4.5) получим
(4.8) Численное значение коэффициента Холла

Оптические свойства полупроводников
Поглощение света и фотопроводимость. При прохождении через полупроводник частицы световой энергии — фотоны поглощаются электронами и атомами кристаллической решетки.

Полупроводники в сильных электрических полях
Влияние электрического поля. При отсутствии внешнего электрического поля, равновесные носители заряда, имеющиеся в полупроводнике при данной температуре, движутся хаотически в ра

Ширина запрещенной зоны
Шириной запрещенной зоны называется энергетическая щель, которая разделяет зону проводимости и валентную зону. То есть это энергия, которую должен приобрести собственный электрон, чтобы пере

Эффективная масса носителей заряда
Ею измеряется степень взаимодействия носителей заряда с положительно заряженными узлами кристаллической решетки. Иными словами, эффективная масса может быть определена как коэффициент пропорциональ

Подвижность носителей заряда
Подвижностью носителей заряда называется их дрейфовая скорость в поле с единичной напряженностью:

Концентрация собственных носителей заряда
Концентрацией собственных носителей заряда называют количество носителей заряда (электронов и дыр

Удельная электропроводность
В общем случае удельная электропроводность собственного полупроводника определяется для двух типов носителей заряда: электронов и дырок: σi = σn+σ

Параметры примесных полупроводников
Кроме параметров характеризующих собственные полупроводники, примесные полупроводники имеют следующие параметры: Тип проводимости ; Концентрация доноров или акцепторов;

Энергия ионизации примеси
Это энергия, которая необходима для высвобождения примесных электрона или дырки с примесного уровня. Для донорного полупроводника она отсчитывается от дна зоны проводимости до примесного уровня, а

Подвижность носителей заряда
В отличие от собственных полупроводников в примесных полупроводниках имеет место еще один механизм рассеяния электронов - на ионизированных атомах примеси. Этот механизм доминирует

Взаимная компенсация доноров и акцепторов
Рассмотрим случай, когда в полупроводнике есть два типа примесей: мелкие доноры с энергией ионизации Еd и концентрацией Nd и мелкие акц

Полуизолирующий полупроводник
До этого времени мы говорили о мелких донорах и акцепторах. В этом случае для полной компенсации примесных носителей заряда необходимо выполнять соотно

Кремний
Кремний очень широко распространен в земной коре (до 29,5%). Как материал электроники кремний нашел широкое применение только во второй половине двадцатого столетия, после ра

СЛОЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Свойства простых полупроводников далеко не всегда отвечают требованиям современной полупроводниковой техники. Сложные полупроводники предоставляют широкие возможности для создания материалов с са