рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Энергетика
/
Полуизолирующий полупроводник

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Полуизолирующий полупроводник

Полуизолирующий полупроводник - раздел Энергетика, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ До Этого Времени Мы Говорили О Мелких Доно...

До этого времени мы говорили о мелких донорах и акцепторах. В этом случае для полной компенсации примесных носителей заряда необходимо выполнять соотношения: N_A=N_P. Это условие очень тяжело выдержать технологически. Как известно, собственный полупроводник имеет наивысшее удельное сопротивление, что важно для изготовления подложек для ИМС и полупроводниковых приборов. Изготовление таких материалов очень трудоёмкий процесс. Но большого удельного сопротивления полупроводника можно достичь, если использовать для компенсации глубокую примесь.

Пусть полупроводник имеет мелкие донорные уровни с энергией Е_d и концентрацией N_d. Введем в него глубокую акцепторную примесь с энергией Е_А>>Е_d и концентрацией N_A>N_d (рис. 4.17).

Глубокие акцепторные уровни захватывают все примесные электроны, поскольку их концентрация выше. Останется нескомпенсированная акцепторная примесь с концентрацией N_A-N_d. Но её энергия ионизации приближается к середине запрещенной зоны. Поэтому при повышении температуры собственные электроны будут переходить в зону проводимости по двум степеням - “валентная зона” - “глубокий акцепторный уровень” - “зона проводимости”. То есть такой полупроводник будет вести себя как собственный и его удельное сопротивление будет большим. Но наличие большого количества центров рекомбинации снижает подвижность носителей заряда. Такой полупроводник называют полуизолирующим.

4.4 Простые полупроводники

Физико-химические свойства элементарных полупроводников приведены в табл. 4.1.

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

S x times d... где х ширина d толщина пластины... Зная что сила тока в проводнике с одним типом носителей заряда...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Полуизолирующий полупроводник

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Физические процессы в полупроводниках
Классификация полупроводниковых материалов Полупроводник - это вещество, основным свойством которого является сильная зависимость его электропроводности от

Структура и зонные диаграммы собственного и примесного полупроводников
Рассмотрим структуру собственных полупроводников на примере элементарного полупроводника кремния.

Определение типа электропроводности.
Для определения типа электропроводности полупроводника можно использовать эффект Холла.

Используя выражения (4.3 – 4.5) получим
(4.8) Численное значение коэффициента Холла

Оптические свойства полупроводников
Поглощение света и фотопроводимость. При прохождении через полупроводник частицы световой энергии — фотоны поглощаются электронами и атомами кристаллической решетки.

Полупроводники в сильных электрических полях
Влияние электрического поля. При отсутствии внешнего электрического поля, равновесные носители заряда, имеющиеся в полупроводнике при данной температуре, движутся хаотически в ра

Ширина запрещенной зоны
Шириной запрещенной зоны называется энергетическая щель, которая разделяет зону проводимости и валентную зону. То есть это энергия, которую должен приобрести собственный электрон, чтобы пере

Эффективная масса носителей заряда
Ею измеряется степень взаимодействия носителей заряда с положительно заряженными узлами кристаллической решетки. Иными словами, эффективная масса может быть определена как коэффициент пропорциональ

Подвижность носителей заряда
Подвижностью носителей заряда называется их дрейфовая скорость в поле с единичной напряженностью:

Концентрация собственных носителей заряда
Концентрацией собственных носителей заряда называют количество носителей заряда (электронов и дыр

Удельная электропроводность
В общем случае удельная электропроводность собственного полупроводника определяется для двух типов носителей заряда: электронов и дырок: σi = σn+σ

Параметры примесных полупроводников
Кроме параметров характеризующих собственные полупроводники, примесные полупроводники имеют следующие параметры: Тип проводимости ; Концентрация доноров или акцепторов;

Энергия ионизации примеси
Это энергия, которая необходима для высвобождения примесных электрона или дырки с примесного уровня. Для донорного полупроводника она отсчитывается от дна зоны проводимости до примесного уровня, а

Подвижность носителей заряда
В отличие от собственных полупроводников в примесных полупроводниках имеет место еще один механизм рассеяния электронов - на ионизированных атомах примеси. Этот механизм доминирует

Температурная зависимость электропроводности примесных полупроводников
Температурная зависимость электропроводности примесных полупроводников более сложная, чем собстве

Взаимная компенсация доноров и акцепторов
Рассмотрим случай, когда в полупроводнике есть два типа примесей: мелкие доноры с энергией ионизации Еd и концентрацией Nd и мелкие акц

Кремний
Кремний очень широко распространен в земной коре (до 29,5%). Как материал электроники кремний нашел широкое применение только во второй половине двадцатого столетия, после ра

СЛОЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Свойства простых полупроводников далеко не всегда отвечают требованиям современной полупроводниковой техники. Сложные полупроводники предоставляют широкие возможности для создания материалов с са