Подвижность носителей заряда - раздел Энергетика, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Подвижностью Носителей Заряда Называется Их Дрейфовая Скорост...
Подвижностью носителей заряда называется их дрейфовая скорость в поле с единичной напряженностью:
(4.15)
где mh,r- подвижность электронов или дырок, см2/В×с;
Vдр - дрейфовая скорость;
Е - напряженность электрического поля.
Подвижность носителей заряда зависит от эффективной массы:
(4.16)
где th,r - время релаксация электронов или дырок.
Поскольку эффективная масса электронов меньше эффективной массы дырок, то подвижность электронов выше, чем дырок. Подвижность носителей заряда зависит от температуры. В собственных полупроводниках подвижность носителей в первую очередь зависит от тепловых колебаний кристаллической решетки (фононов). Такое явление называется рассеянием носителей заряда на тепловых колебаниях кристаллической решетки. С ростом температуры амплитуда тепловых колебаний узлов кристаллической решетки возрастает, поэтому длина свободного пробега электронов уменьшается, то есть уменьшается подвижность носителей заряда. Это уменьшение подчиняется закону:
mn, p= A.T-3/2(4.17)
где А - некоторый коэффициент;
Т - абсолютная температура.
График температурной зависимости подвижности носителей заряда в собственных полупроводниках приведен на рис. 4.9.
S x times d... где х ширина d толщина пластины... Зная что сила тока в проводнике с одним типом носителей заряда...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ:
Подвижность носителей заряда
Что будем делать с полученным материалом:
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Физические процессы в полупроводниках
Классификация полупроводниковых материалов
Полупроводник - это вещество, основным свойством которого является сильная зависимость его электропроводности от
Оптические свойства полупроводников
Поглощение света и фотопроводимость. При прохождении через полупроводник частицы световой энергии — фотоны поглощаются электронами и атомами кристаллической решетки.
Полупроводники в сильных электрических полях
Влияние электрического поля. При отсутствии внешнего электрического поля, равновесные носители заряда, имеющиеся в полупроводнике при данной температуре, движутся хаотически в ра
Ширина запрещенной зоны
Шириной запрещенной зоны называется энергетическая щель, которая разделяет зону проводимости и валентную зону. То есть это энергия, которую должен приобрести собственный электрон, чтобы пере
Эффективная масса носителей заряда
Ею измеряется степень взаимодействия носителей заряда с положительно заряженными узлами кристаллической решетки. Иными словами, эффективная масса может быть определена как коэффициент пропорциональ
Удельная электропроводность
В общем случае удельная электропроводность собственного полупроводника определяется для двух типов носителей заряда: электронов и дырок:
σi = σn+σ
Параметры примесных полупроводников
Кроме параметров характеризующих собственные полупроводники, примесные полупроводники имеют следующие параметры:
Тип проводимости ; Концентрация доноров или акцепторов;
Энергия ионизации примеси
Это энергия, которая необходима для высвобождения примесных электрона или дырки с примесного уровня. Для донорного полупроводника она отсчитывается от дна зоны проводимости до примесного уровня, а
Подвижность носителей заряда
В отличие от собственных полупроводников в примесных полупроводниках имеет место еще один механизм рассеяния электронов - на ионизированных атомах примеси. Этот механизм доминирует
Взаимная компенсация доноров и акцепторов
Рассмотрим случай, когда в полупроводнике есть два типа примесей: мелкие доноры с энергией ионизации Еd и концентрацией Nd и мелкие акц
Полуизолирующий полупроводник
До этого времени мы говорили о мелких донорах и акцепторах. В этом случае для полной компенсации примесных носителей заряда необходимо выполнять соотно
Кремний
Кремний очень широко распространен в земной коре (до 29,5%). Как материал электроники кремний нашел широкое применение только во второй половине двадцатого столетия, после ра
СЛОЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Свойства простых полупроводников далеко не всегда отвечают требованиям современной полупроводниковой техники. Сложные полупроводники предоставляют широкие возможности для создания материалов с са
Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
(4.15)
(4.16)
Поскольку эффективная масса электронов меньше эффективной массы дырок, то подвижность электронов выше, чем дырок. Подвижность носителей заряда зависит от температуры. В собственных полупроводниках подвижность носителей в первую очередь зависит от тепловых колебаний кристаллической решетки (фононов). Такое явление называется рассеянием носителей заряда на тепловых колебаниях кристаллической решетки. С ростом температуры амплитуда тепловых колебаний узлов кристаллической решетки возрастает, поэтому длина свободного пробега электронов уменьшается, то есть уменьшается подвижность носителей заряда. Это уменьшение подчиняется закону:
Новости и инфо для студентов