рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Энергетика
/
Используя выражения (4.3 – 4.5) получим

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Используя выражения (4.3 – 4.5) получим

Используя выражения (4.3 – 4.5) получим - раздел Энергетика, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ ...

(4.8)

Численное значение коэффициента Холла можно найти, измерив э.д.с. U_X, ток I, магнитную индукцию B и толщину полупроводниковой пластины d.

Для полупроводника n-типа получится такое же выражение, только концентрация p будет заменена n и направление Е_Х будет противоположным.

Значение коэффициента Холла Х, входящего в выражение (4.8),справедливо только для вырожденных полупроводников. Более точное значение Х будет отличаться от имеющегося в выражении (4.8) множителем А. Численное значение А изменяется в различных полупроводниках при различных температурах от 1 до двух (например, для германия А = 1,18).

Для полупроводников р- типа (4.9)

Для полупроводников n- типа (4.10)

Знак минус в формуле показывает, что э.д.с. Холла для полупроводников n- типа имеет полярность, противоположную получаемой для полупроводников р- типа, что и используется при определении типа электропроводности полупроводников.

Как видно из уравнений (4.9, 4.10) величина Х зависит от концентрации носителей заряда, а следовательно, и от температуры. Измеряя э.д.с. Холла в некотором диапазоне температуры, получают экспериментальные данные для построения графика зависимости концентрации носителей заряда от температуры, по которому можно вычислить энергию активации акцепторов или доноров.

Эффект Холла можно использовать и для определения подвижности носителей заряда, если известно значение удельной проводимости полупроводника:

m_n = g/en (4.11)

Эффект Холла широко применяют на практике для измерения параметров электромагнитных полей. Используемые с этой целью полупроводниковые материалы должны обладать высокой подвижностью носителей заряда в сочетании с низкой электропроводностью. Такими свойствами обладают соединения индия InAs и InSb.

Для определения типа электропроводности полупроводников можно использовать также термоэлектрический эффект. Если нагреть один конец полупроводника, например п-типа (рис.4.4, б), то концентрация свободных электронов на этом конце возрастёт за счет подведенной внешней тепловой энергии. Поток электронов от горячего конца, к холодному станет больше, чем от холодного к горячему. В результате на левом холодном конце появится избыток отрицательных зарядов, на правом горячем конце — избыток положительных зарядов, т. е. на концах полупроводника появится термо-э.д.с. В полупроводнике р-типа в силу того, что перемещаться будут положительно заряженные дырки, знак термо-э. д. с. изменится на обратный. Следовательно, определить тип электропроводности можно по знаку термо-э.д.с.

На основе термоэлектрического эффекта созданы термоэлектрические генераторы и солнечные батареи. Полупроводниковые материалы для этих целей должны обладать высоким коэффициентом термо-э. д.с. и низким коэффициентом теплопроводности. Такими свойствами обладают фосфид галлия GaP, соединения висмута BiSe и BiTe и др.

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

S x times d... где х ширина d толщина пластины... Зная что сила тока в проводнике с одним типом носителей заряда...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Используя выражения (4.3 – 4.5) получим

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Физические процессы в полупроводниках
Классификация полупроводниковых материалов Полупроводник - это вещество, основным свойством которого является сильная зависимость его электропроводности от

Структура и зонные диаграммы собственного и примесного полупроводников
Рассмотрим структуру собственных полупроводников на примере элементарного полупроводника кремния.

Определение типа электропроводности.
Для определения типа электропроводности полупроводника можно использовать эффект Холла.

Оптические свойства полупроводников
Поглощение света и фотопроводимость. При прохождении через полупроводник частицы световой энергии — фотоны поглощаются электронами и атомами кристаллической решетки.

Полупроводники в сильных электрических полях
Влияние электрического поля. При отсутствии внешнего электрического поля, равновесные носители заряда, имеющиеся в полупроводнике при данной температуре, движутся хаотически в ра

Ширина запрещенной зоны
Шириной запрещенной зоны называется энергетическая щель, которая разделяет зону проводимости и валентную зону. То есть это энергия, которую должен приобрести собственный электрон, чтобы пере

Эффективная масса носителей заряда
Ею измеряется степень взаимодействия носителей заряда с положительно заряженными узлами кристаллической решетки. Иными словами, эффективная масса может быть определена как коэффициент пропорциональ

Подвижность носителей заряда
Подвижностью носителей заряда называется их дрейфовая скорость в поле с единичной напряженностью:

Концентрация собственных носителей заряда
Концентрацией собственных носителей заряда называют количество носителей заряда (электронов и дыр

Удельная электропроводность
В общем случае удельная электропроводность собственного полупроводника определяется для двух типов носителей заряда: электронов и дырок: σi = σn+σ

Параметры примесных полупроводников
Кроме параметров характеризующих собственные полупроводники, примесные полупроводники имеют следующие параметры: Тип проводимости ; Концентрация доноров или акцепторов;

Энергия ионизации примеси
Это энергия, которая необходима для высвобождения примесных электрона или дырки с примесного уровня. Для донорного полупроводника она отсчитывается от дна зоны проводимости до примесного уровня, а

Подвижность носителей заряда
В отличие от собственных полупроводников в примесных полупроводниках имеет место еще один механизм рассеяния электронов - на ионизированных атомах примеси. Этот механизм доминирует

Температурная зависимость электропроводности примесных полупроводников
Температурная зависимость электропроводности примесных полупроводников более сложная, чем собстве

Взаимная компенсация доноров и акцепторов
Рассмотрим случай, когда в полупроводнике есть два типа примесей: мелкие доноры с энергией ионизации Еd и концентрацией Nd и мелкие акц

Полуизолирующий полупроводник
До этого времени мы говорили о мелких донорах и акцепторах. В этом случае для полной компенсации примесных носителей заряда необходимо выполнять соотно

Кремний
Кремний очень широко распространен в земной коре (до 29,5%). Как материал электроники кремний нашел широкое применение только во второй половине двадцатого столетия, после ра

СЛОЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Свойства простых полупроводников далеко не всегда отвечают требованиям современной полупроводниковой техники. Сложные полупроводники предоставляют широкие возможности для создания материалов с са