рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Подвижность носителей заряда

Подвижность носителей заряда - раздел Энергетика, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ   В Отличие От Собственных Полупроводников В Примесных Полупров...

 

В отличие от собственных полупроводников в примесных полупроводниках имеет место еще один механизм рассеяния электронов - на ионизированных атомах примеси. Этот механизм доминирует при низких температурах (обычно, на участке “вымерзания примеси” и частично в области “истощения примеси”). В этом случае возрастание температуры приводит к росту тепловой скорости электронов, вследствие чего они в меньшей степени взаимодействуют с ионизированными атомами примеси. Поэтому с ростом температуры подвижность носителей заряда возрастает (рис. 4.13):

 

mh = А.Т3/2 ( 4.27)

 

При больших температурах, как и в случае собственных полупроводников, доминирует механизм рассеяния электронов на тепловых колебаниях узлов кристаллической решетки, поэтому в этом случае подвижность носителей заряда с ростом температуры снижается согласно (4.17).

 

 

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

S x times d... где х ширина d толщина пластины... Зная что сила тока в проводнике с одним типом носителей заряда...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Подвижность носителей заряда

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Физические процессы в полупроводниках
  Классификация полупроводниковых материалов   Полупроводник - это вещество, основным свойством которого является сильная зависимость его электропроводности от

Структура и зонные диаграммы собственного и примесного полупроводников
Рассмотрим структуру собственных полупроводников на примере элементарного полупроводника кремния.

Определение типа электропроводности.
  Для определения типа электропроводности полупроводника можно использовать эффект Холла.

Используя выражения (4.3 – 4.5) получим
(4.8) Численное значение коэффициента Холла

Оптические свойства полупроводников
Поглощение света и фотопроводимость. При прохождении через полупроводник частицы световой энергии — фотоны поглощаются электронами и атомами кристаллической решетки.

Полупроводники в сильных электрических полях
Влияние электрического поля. При отсутствии внешнего элект­рического поля, равновесные носители заряда, имеющиеся в полупроводнике при данной темпера­туре, движутся хаотически в ра

Ширина запрещенной зоны
Шириной запрещенной зоны называется энергетическая щель, которая разделяет зону проводимости и валентную зону. То есть это энергия, которую должен приобрести собственный электрон, чтобы пере

Эффективная масса носителей заряда
Ею измеряется степень взаимодействия носителей заряда с положительно заряженными узлами кристаллической решетки. Иными словами, эффективная масса может быть определена как коэффициент пропорциональ

Подвижность носителей заряда
  Подвижностью носителей заряда называется их дрейфовая скорость в поле с единичной напряженностью:  

Концентрация собственных носителей заряда
  Концентрацией собственных носителей заряда называют количество носителей заряда (электронов и дыр

Удельная электропроводность
В общем случае удельная электропроводность собственного полупроводника определяется для двух типов носителей заряда: электронов и дырок: σi = σn+σ

Параметры примесных полупроводников
Кроме параметров характеризующих собственные полупроводники, примесные полупроводники имеют следующие параметры: Тип проводимости ; Концентрация доноров или акцепторов;

Энергия ионизации примеси
Это энергия, которая необходима для высвобождения примесных электрона или дырки с примесного уровня. Для донорного полупроводника она отсчитывается от дна зоны проводимости до примесного уровня, а

Температурная зависимость электропроводности примесных полупроводников
  Температурная зависимость электропроводности примесных полупроводников более сложная, чем собстве

Взаимная компенсация доноров и акцепторов
  Рассмотрим случай, когда в полупроводнике есть два типа примесей: мелкие доноры с энергией ионизации Еd и концентрацией Nd и мелкие акц

Полуизолирующий полупроводник
    До этого времени мы говорили о мелких донорах и акцепторах. В этом случае для полной компенсации примесных носителей заряда необходимо выполнять соотно

Кремний
  Кремний очень широко распространен в земной коре (до 29,5%). Как материал электроники кремний нашел широкое применение только во второй половине двадцатого столетия, после ра

СЛОЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Свойства простых полупроводников далеко не всегда отвечают требованиям современной полупроводниковой техники. Сложные полупровод­ники предоставляют широкие возможности для создания материа­лов с са

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги