Определение типа электропроводности. - раздел Энергетика, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Для Определения Типа Электропроводности Полупроводника...
Для определения типа электропроводности полупроводника можно использовать эффект Холла.
Если пластинку полупроводника поместить в магнитное поле, создающее в ней магнитную индукцию В, а в перпендикулярном направлении пропустить электрический ток с плотностью J, то в полупроводнике возникнет поперечное электрическое поле, перпендикулярное току и магнитному полю. Появление этого поля проиллюстрировано на рис. 4.4, а для полупроводника n-типа, направление которой определяют по правилу левой руки. Сила, действующая на движущийся в магнитном поле электрон зависит от индукции В и скорости движения электрона v:
F=evB (4.3)
Под действием силы F электроны сместятся к верхней грани пластины, и в полупроводнике возникнет электрическое поле с напряженностью Ех, направленное снизу вверх и воздействующее на электроны в обратном направлении с силой -еEХ. Равновесие установится в том случае, если обе силы, действующие на электроны, будут равны:
EvB = -eEХ. (4.4)
Предполагая электрическое поле однородным, получим
S x times d... где х ширина d толщина пластины... Зная что сила тока в проводнике с одним типом носителей заряда...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ:
Определение типа электропроводности.
Что будем делать с полученным материалом:
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Физические процессы в полупроводниках
Классификация полупроводниковых материалов
Полупроводник - это вещество, основным свойством которого является сильная зависимость его электропроводности от
Оптические свойства полупроводников
Поглощение света и фотопроводимость. При прохождении через полупроводник частицы световой энергии — фотоны поглощаются электронами и атомами кристаллической решетки.
Полупроводники в сильных электрических полях
Влияние электрического поля. При отсутствии внешнего электрического поля, равновесные носители заряда, имеющиеся в полупроводнике при данной температуре, движутся хаотически в ра
Ширина запрещенной зоны
Шириной запрещенной зоны называется энергетическая щель, которая разделяет зону проводимости и валентную зону. То есть это энергия, которую должен приобрести собственный электрон, чтобы пере
Эффективная масса носителей заряда
Ею измеряется степень взаимодействия носителей заряда с положительно заряженными узлами кристаллической решетки. Иными словами, эффективная масса может быть определена как коэффициент пропорциональ
Подвижность носителей заряда
Подвижностью носителей заряда называется их дрейфовая скорость в поле с единичной напряженностью:
Удельная электропроводность
В общем случае удельная электропроводность собственного полупроводника определяется для двух типов носителей заряда: электронов и дырок:
σi = σn+σ
Параметры примесных полупроводников
Кроме параметров характеризующих собственные полупроводники, примесные полупроводники имеют следующие параметры:
Тип проводимости ; Концентрация доноров или акцепторов;
Энергия ионизации примеси
Это энергия, которая необходима для высвобождения примесных электрона или дырки с примесного уровня. Для донорного полупроводника она отсчитывается от дна зоны проводимости до примесного уровня, а
Подвижность носителей заряда
В отличие от собственных полупроводников в примесных полупроводниках имеет место еще один механизм рассеяния электронов - на ионизированных атомах примеси. Этот механизм доминирует
Взаимная компенсация доноров и акцепторов
Рассмотрим случай, когда в полупроводнике есть два типа примесей: мелкие доноры с энергией ионизации Еd и концентрацией Nd и мелкие акц
Полуизолирующий полупроводник
До этого времени мы говорили о мелких донорах и акцепторах. В этом случае для полной компенсации примесных носителей заряда необходимо выполнять соотно
Кремний
Кремний очень широко распространен в земной коре (до 29,5%). Как материал электроники кремний нашел широкое применение только во второй половине двадцатого столетия, после ра
СЛОЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Свойства простых полупроводников далеко не всегда отвечают требованиям современной полупроводниковой техники. Сложные полупроводники предоставляют широкие возможности для создания материалов с са
Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Если пластинку полупроводника поместить в магнитное поле, создающее в ней магнитную индукцию В, а в перпендикулярном направлении пропустить электрический ток с плотностью J, то в полупроводнике возникнет поперечное электрическое поле, перпендикулярное току и магнитному полю. Появление этого поля проиллюстрировано на рис. 4.4, а для полупроводника n-типа, направление которой определяют по правилу левой руки. Сила, действующая на движущийся в магнитном поле электрон зависит от индукции В и скорости движения электрона v:
Новости и инфо для студентов