Реферат Курсовая Конспект
Полупроводники в сильных электрических полях - раздел Энергетика, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ Влияние Электрического Поля. При Отсутствии Внешнего Электр...
|
Влияние электрического поля. При отсутствии внешнего электрического поля, равновесные носители заряда, имеющиеся в полупроводнике при данной температуре, движутся хаотически в разных направлениях. Поэтому средняя скорость их движения равна нулю. Если приложить внешнее электрическое поле с напряженностью Е, то на хаотическое тепловое движение носителей заряда накладывается направленное движение, т. е. в полупроводнике возникает электрический ток. Согласно закону Ома плотность тока J=yE.
Если проводимость g постоянна, то с возрастанием напряженности поля плотность тока будет линейно возрастать. Именно так и обстоит дело в полупроводнике, но лишь до тех пор, пока напряженность поля не превысит некоторого критического значения Екр (рис. 4.8). При дальнейшем увеличении напряженности проводимость полупроводника начинает возрастать. Следовательно, согласно (4.2) должны возрастать концентрация или подвижность носителей заряда. Рассмотрим причины изменения концентрации носителей заряда.
Свободный электрон, пройдя в полупроводнике под действием электрического поля расстояние l, увеличивает свою энергию на величину еlЕ. При Е>Екр этой энергии оказывается достаточно для того, чтобы столкновение электрона с атомами привело к ионизации последних, причем сам электрон остался бы в зоне проводимости. Появившиеся в результате ионизации дополнительные носители заряда, в свою очередь, ускоряются полем и генерируют новые свободные носители. Этот процесс называют ударной ионизацией полупроводника. При возрастании Е до некоторой величины Екр процесс возрастания концентрации носителей заряда будет частично компенсироваться обратным процессом рекомбинации. При Е>Екр рекомбинация уже не может компенсировать генерацию электронно-дырочных пар, концентрация носителей заряда и плотность тока возрастают лавинообразно, выделяется большое количество тепла и происходит пробой, т. е. необратимое разрушение полупроводника.
Значение составляет Екр≈107 В/м. Такое значение напряженности поля может возникнуть даже при небольших напряжениях в тонких слоях полупроводника. При производстве полупроводниковых приборов это приводит к ограничению минимальной толщины полупроводниковых слоев, заставляет увеличивать удельное сопротивление полупроводниковых материалов.
Влияние сильного электрического поля на подвижность носителей заряда. В сильных электрических полях скорость дрейфа носителей заряда соизмерима с тепловой скоростью; носители заряда по длине свободного пробега приобретают в электрическом поле энергии, соответствующие кинетическим энергиям теплового хаотического движения. При этом распределение носителей заряда по энергетическим уровням соответствует большим температурам, чем температура кристаллической решетки, которая остается практически неизменной. Это явление называют «разогревом» носителей. На подвижность носителей явление разогрева может влиять по-разному.
1. При относительно больших температурах, при которых величина подвижности носителей заряда определяется в основном процессом рассеяния на тепловых колебаниях атомов кристаллической решетки полупроводника, «разогрев» носителей заряда электрическим полем приводит к увеличению числа столкновений носителей с атомами кристаллической решетки, т.е. к уменьшению подвижности при увеличении напряженности электрического поля. Возможность некоторого уменьшения подвижности носителей заряда в сильных электрических полях (эффект Ганна) приводит к появлению на вольт-амперной характеристике участка с отрицательным сопротивлением, что позволяет создавать сверхвысокочастотные полупроводниковые генераторы с рабочей частотой до 100 ГГц. Для этих целей используют арсенид галлия GaAs, имеющий необходимую структуру энергетических зон.
2. При относительно малых температурах, при которых величина подвижности носителей заряда определяется в основном процессом рассеяния на ионизированных примесях, «разогрев» носителей электрическим полем приводит к уменьшению времени нахождения носителя в поле ионизированной примеси, и, соответственно, к увеличению подвижности. Следовательно, увеличение подвижности с увеличением напряженности электрического поля в полупроводниковых приборах может происходить только при очень низких температурах.
Туннельный эффект. Сильные электрические поля в полупроводниках могут приводить к возникновению туннельного эффекта. Его называют иногда внутренней холодной эмиссией. Это явление до некоторой степени аналогично холодной эмиссии из металлов. Сущность его состоит в том, что достаточно сильные электрические поля могут вызывать прямые электронные переходы между зоной проводимости и валентной зоной. Для этого требуются поля более 107 В/м. Условия для развития механизмов увеличения числа носителей заряда чаще всего создаются в тонких слоях полупроводников с повышенным сопротивлением.
Из выше сказанного ясно, что зависимость проводимости полупроводников вследствие влияния напряженности электрического поля, как на подвижность, так и на концентрацию носителей заряда в области сильных полей может быть сложной.
4.2 Собственные полупроводники
– Конец работы –
Эта тема принадлежит разделу:
S x times d... где х ширина d толщина пластины... Зная что сила тока в проводнике с одним типом носителей заряда...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Полупроводники в сильных электрических полях
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов