рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Раздел Энергетика
/
Эффективная масса носителей заряда

Реферат Курсовая Конспект

Выберите учебное заведение

Эффективная масса носителей заряда

Эффективная масса носителей заряда - раздел Энергетика, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ Ею Измеряется Степень Взаимодействия Носителей Заряда С Положительно Заряженн...

Ею измеряется степень взаимодействия носителей заряда с положительно заряженными узлами кристаллической решетки. Иными словами, эффективная масса может быть определена как коэффициент пропорциональности в законе, связывающем внешнюю силу, действующую на электрон в кристалле, с его ускорением.

Согласно квантовой теории твердого тела поведение электронов, которые находятся в нижней части зоны проводимости, представляется как движение отрицательно заряженных частиц с положительной массой, которая отличается от массы свободного электрона. Движение электронов, которые перемещаются в верхней части валентной зоны, ускоряется электрическим полем в направлении обратном ускорению электронов, которые движутся в нижней части зоны проводимости; то есть следует считать, что масса этих электронов отрицательна.

Таким образом, эффективная масса не только отличается от массы электрона, но и может иметь отрицательный знак. Понятие эффективной массы носителей заряда позволяет описывать их движение в твердом теле как свободное перемещение заряженной частицы без учета периодического поля кристаллической решетки.

Эффективная масса носителей заряда обратно пропорциональна ширине той зоны, где он находится. Поскольку ширина разрешенных зон возрастает с ростом энергии, то зона проводимости обычно бывает шире валентной зоны. Поэтому эффективная масса дырок больше эффективной массы электронов.

Эффективная масса носителей заряда чаще всего выражается в долях массы покоя электрона. Например: m_p^* = 1,01 или m_n^* = 0,85.

Развернуть

Открыть в широком формате

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

S x times d... где х ширина d толщина пластины... Зная что сила тока в проводнике с одним типом носителей заряда...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Эффективная масса носителей заряда

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Физические процессы в полупроводниках
Классификация полупроводниковых материалов Полупроводник - это вещество, основным свойством которого является сильная зависимость его электропроводности от

Структура и зонные диаграммы собственного и примесного полупроводников
Рассмотрим структуру собственных полупроводников на примере элементарного полупроводника кремния.

Определение типа электропроводности.
Для определения типа электропроводности полупроводника можно использовать эффект Холла.

Используя выражения (4.3 – 4.5) получим
(4.8) Численное значение коэффициента Холла

Оптические свойства полупроводников
Поглощение света и фотопроводимость. При прохождении через полупроводник частицы световой энергии — фотоны поглощаются электронами и атомами кристаллической решетки.

Полупроводники в сильных электрических полях
Влияние электрического поля. При отсутствии внешнего электрического поля, равновесные носители заряда, имеющиеся в полупроводнике при данной температуре, движутся хаотически в ра

Ширина запрещенной зоны
Шириной запрещенной зоны называется энергетическая щель, которая разделяет зону проводимости и валентную зону. То есть это энергия, которую должен приобрести собственный электрон, чтобы пере

Подвижность носителей заряда
Подвижностью носителей заряда называется их дрейфовая скорость в поле с единичной напряженностью:

Концентрация собственных носителей заряда
Концентрацией собственных носителей заряда называют количество носителей заряда (электронов и дыр

Удельная электропроводность
В общем случае удельная электропроводность собственного полупроводника определяется для двух типов носителей заряда: электронов и дырок: σi = σn+σ

Параметры примесных полупроводников
Кроме параметров характеризующих собственные полупроводники, примесные полупроводники имеют следующие параметры: Тип проводимости ; Концентрация доноров или акцепторов;

Энергия ионизации примеси
Это энергия, которая необходима для высвобождения примесных электрона или дырки с примесного уровня. Для донорного полупроводника она отсчитывается от дна зоны проводимости до примесного уровня, а

Подвижность носителей заряда
В отличие от собственных полупроводников в примесных полупроводниках имеет место еще один механизм рассеяния электронов - на ионизированных атомах примеси. Этот механизм доминирует

Температурная зависимость электропроводности примесных полупроводников
Температурная зависимость электропроводности примесных полупроводников более сложная, чем собстве

Взаимная компенсация доноров и акцепторов
Рассмотрим случай, когда в полупроводнике есть два типа примесей: мелкие доноры с энергией ионизации Еd и концентрацией Nd и мелкие акц

Полуизолирующий полупроводник
До этого времени мы говорили о мелких донорах и акцепторах. В этом случае для полной компенсации примесных носителей заряда необходимо выполнять соотно

Кремний
Кремний очень широко распространен в земной коре (до 29,5%). Как материал электроники кремний нашел широкое применение только во второй половине двадцатого столетия, после ра

СЛОЖНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Свойства простых полупроводников далеко не всегда отвечают требованиям современной полупроводниковой техники. Сложные полупроводники предоставляют широкие возможности для создания материалов с са