Гетеропереходы первого и второго типов. - Лекция, раздел Философия, ЛЕКЦИЯ №1 ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЯВЛЕНИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ И ИХ КЛАССИФИКАЦИЯ Рассмотрим Одиночный Гетеропереход Между Двумя Полупроводниками A И B, Имеющ...
Рассмотрим одиночный гетеропереход между двумя полупроводниками A и B, имеющими в общем случае различную ширину запрещенной зоны и . Принято различать гетеропереходы 1-го и 2-го типов, в зависимости от расположения на зонной диаграмме дна зоны проводимости и потолка валентной зоны материала А по отношению к аналогичным величинам материала В. Взаимное расположение этих уровней энергии определяется как положением их относительно уровня энергии вакуума, общего для обоих материалов, так и соотношением между и . На рис. 1.1 представлены зонные диаграммы гетеро- переходов 1-го типа для случая, когда разрыв зоны проводимости DЕС больше разрыва валентной зоны DЕu (а) и наоборот DЕС < DЕu (б).
Рис. 1.1. Гетеропереходы первого типа: а — DЕС >DЕu, б — DЕС >DЕu,
DЕС < DЕu, и - энергетические уровни, соответствующие дну зоны проводимости и потолку валентной зоны материалов А и В, DЕс,u - разрывы зон на интерфейсе.
В обоих случаях запрещенная зона материала В располагается внутри запрещенной зоны материала А, а движение электронов и дырок из материала В в материал А ограничено потенциальными барьерами, высота которых соответственно равна DЕС и DЕu. В таких гетероструктурах электроны и дырки локализуются в одной области пространства — в слое В.
Зонная диаграмма гетеропереходов 2-го типа представлена на рис. 1.2. Для гетеропереходов этого типа характерно, что запрещенные зоны материалов А и В либо частично перекрываются, либо вообще не перекрываются.
Рис. 1.2. Гетеропереходы второго типа: а, б — с перекрывающимися, в, г — с неперекрывающимися запрещенными зонами (а, в - DЕС >DЕu, б, г –DЕС < DЕu).
В первом случае (рис. 1.2,а и 1.2,б) электроны или дырки локализуются в различных областях пространства (соответственно в слое В и А (рис. 1.2,а) или в А и В (рис. 1.2,б)). В случае гетеропереходов с неперекрывающимися запрещенными зонами электроны валентной зоны одного материала будут беспрепятственно переходить в зону проводимости другого материала (из А-слоя в В-слой на рис. 1.2,в, из В-слоя в А-слой на рис. 1.2,г). Возникающее в результате этого электростатическое поле исказит зонную диаграмму, а сам гетеропереход будет эквивалентен гетеропереходу полуметалл-полупроводник.
Известно, что энергия носителей заряда в объемном полупроводнике характеризуется тремя непрерывными квантовыми числами (компонентами волнового вектора k) k1, k2, k3 и в простейшем случае имеет вид
.
Ограничение движения носителей заряда в направлении хi , (i = 1,2,3) приводит к трансформации непрерывного квантового числа ki в дискретное квантовое число ni (ni = 1, 2, 3...) 1), нумерующее энергию размерного квантования. В остальных направлениях движение остается инфинитным и будет характеризоваться оставшимися компонентами волнового вектора.
ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЯВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ И ИХ КЛАССИФИКАЦИЯ... План лекции... Фундаментальные явления...
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ:
Гетеропереходы первого и второго типов.
Что будем делать с полученным материалом:
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Фундаментальные явления.
Поведение подвижных носителей заряда (электронов и дырок) в наноразмерных структурах определяют три группы фундаментальных явлений: квантовое ограничение, баллистический транспорт и квантовая интер
Энергетическая диаграмма одномерной сверхрешётки
Полупроводниковые квантово-размерные структуры на основе гетеропереходов принято различать по числу направлений, вдоль которых происходит ограничение движения носителей заряда (электронов или дырок
Рассеяние частиц на потенциальной ступеньке.
Проведем анализ системы, в которой частицы, испускаемые источником, удаленным на большое расстояние, рассеиваются на той или иной преграде, уходя после этого в бесконечность.
Простейшей м
Потенциальный барьер конечной ширины.
В реальной физической ситуации мы всегда имеем дело с барьером конечной ширины. Найдем коэффициенты отражения и прохождения при движении частицы через прямоугольный потенциальный барьер ширины
Частица в прямоугольной потенциальной яме.
При выращивании пленки узкозонного полупроводника между двумя слоями широкозонного материала может быть реализован потенциальный рельеф, показанный на рис. 1.4.
Особенности движения частиц над потенциальной ямой.
Мы рассмотрели случай, когда полная энергия частицы Е меньше высоты стенок потенциальной ямы (финитное движение). Здесь размерный эффект проявляется в квантовании энергии и волнового вектора
Прохождение частицы через многобарьерные квантовые структуры.
При исследовании поведения частицы (электрона) в системах, содержащих изолированные КЯ и потенциальные барьеры, установлено, что при туннелировании через одиночный потенциальный барьер коэффициен
Электрон-фононное рассеяние.
Расчеты механизмов электрон-фононного рассеяния в низкоразмерных полупроводниковых структурах показывают, что они во многом схожи с процессами в объемных полупроводниках, например, такое рассеяни
Межподзонное рассеяние.
Рассмотрим двумерную электронную систему, локализованную в потенциальной яме, входящей в состав модулированно-легированной гетероструктуры или полевого МОП-транзистора. Очевидно, что при достаточн
Экспериментальные данные по продольному переносу
На рис. 6.2 представлены данные, иллюстрирующие прогресс, достигнутый в области повышения подвижности электронов при продольном переносе за последние двенадцать лет в наноструктурах на основе GаАs,
Продольный перенос горячих электронов
В некоторых типах полевых транзисторов и наноструктур кинетическая энергия электронов, ускоряемых электрическим полем, может становиться очень высокой и значительно превышать равновесную тепловую
Поперечный перенос в наноструктурах в электрическом поле.
В этом разделе мы рассмотрим движение носителей в направлении, перпендикулярном плоскостям потенциальных барьеров, разделяющих квантовые гетероструктуры. Такой вид переноса часто ассоциируется с
Резонансное туннелирование
Резонансное туннелирование (РТ) сквозь двойной потенциальный барьер является одним из явлений вертикального квантового переноса, уже нашедший широкое практическое применение в создании диодов и тр
Влияние поперечных электрических полей на свойства сверхрешеток
Ранее уже указывалось, что электронные состояния в сверхрешетках образуют электронные зоны или подзоны, которые гораздо уже, чем соответствующие зоны в обычных кристаллах. Малая ширина зон и энерг
Квантовый перенос в наноструктурах
Рассмотрим далее процессы квантового переноса, происходящие при протекании через наноструктуры тока от присоединенных к ним внешних источников. Такие процессы можно также назвать мезоскопическим
Квантовая проводимость. Формула Ландауэра.
Для самого простого описания эффектов квантовой проводимости удобно рассмотреть одномерную мезоскопическую полупроводниковую структуру, типа квантовой проволоки. Если такая проволока является дос
Новости и инфо для студентов