рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Частица в прямоугольной потенциальной яме.

Частица в прямоугольной потенциальной яме. - Лекция, раздел Философия, ЛЕКЦИЯ №1 ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЯВЛЕНИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ И ИХ КЛАССИФИКАЦИЯ При Выращивании Пленки Узкозонного Полупроводника Между Двумя Слоями Широкозо...

При выращивании пленки узкозонного полупроводника между двумя слоями широкозонного материала может быть реализован потенциальный рельеф, показанный на рис. 1.4.

Рис. 4. Энергетическая диаграмма прямоугольной потенциальной ямы

 

В этом случае задача определения стационарных состояний движения электрона сводится к задаче о поведении частицы в пря­моугольной потенциальной яме.

Для асимметричной потенциальной ямы (рис. 1.4, а) с

при E< U2 общие решения уравнения (1.1.2) в областях 1 - 3 (с по­стоянными значениями потенциала) можно представить в виде

 

(1.4.1)

где

Решения и записаны с учетом того, что они должны равняться нулю на бесконечности.

«Сшивая» волновые функции и их первые производные при x = ±0,5W, придем к уравнению

(1.4.2)

определяющему значения волнового вектора K, удовлетворяющие условиям данной задачи.

Подставляя и в (1.4.2), получим трансцендентное уравне­ние, позволяющее оценить разрешенные значения K:

KW=n (1.4.3)

где п = 1, 2, 3... нумерует разрешенные значения K в порядке их возрастания; /, j = 1, 2; значения арксинуса надо брать в интервале 0. . . /2 .

Уравнение (1.4.3) определяет набор положительных значений волнового вектора Кп и, следовательно, возможные уровни энер­гии, соответствующие этим состояниям. Таким образом, энергия частицы в потенциальной яме оказывается квантованной и принимает одно из разрешенных дискретных зна­чений Еп. Чтобы подчеркнуть это, потенциальные ямы (особенно узкие) часто называют квантовыми ямами (КЯ).

Поскольку аргумент арксинуса не может превышать 1, значе­ния K лежат только в интервале

. (1.4.4)

Если WG2<, то в КЯ находится не более одного разрешенно­го энергетического уровня. В общем случае количество разрешен­ных энергетических уровней в прямoугольной квантовой яме мож­но оценить, используя неравенство

n < (1.4.5)

Согласно (1.4.5) при U21 всегда найдутся столь малые зна­чения WG2 , для которых в КЯ не будет ни одного разрешенного уровня энергии. Заметим, что при U2 = U1 (рис. 1 .4, б) условие (1.4.5) для п = 1 всегда выполняется. Следовательно, симмет­ричная одномерная потенциальная яма с произвольными значе­ниями W и U всегда имеет не менее одного разрешенного энер­гетического уровня. Более того, если в случае произвольного одномерного потенциала асимптотические значения и между ними находится один минимум, то все­гда имеется, по крайней мере, один связанный уровень. Если же то связанного состояния может и не быть.В случае двух и трех измерений в неглубоких узких потенциаль­ных ямах связанных состояний может не быть даже при т.е. частица не будет «захватываться» ямой.

Отметим, что согласно законам классической механики частица мо­жет «захватываться» и совершать финитное движение в любой по­тенциальной яме, лишь бы энергия частицы была достаточно мала.

Особенно простой вид имеют решения уравнения (1.4.3) для бесконечно больших значений U1 и U2. В случае прямоугольной ямы с бесконечно высокими стенками (БПЯ) согласно (1.4.3)

Kn=, (1.4.6)

где п = 1, 2, 3... В этом случае на ширине ямы укладывается целое число длин полуволн де Бройля

При этом разрешенные дискретные уровни энергии частицы определяются соотношением, эВ:

(1.4.7)

где m0 - масса свободного электрона, W- в нм.

В случае БПЯ нормированные волновые функции частицы в состояниях с различными значениями Еп могут быть представле­ны в виде

если п - нечетное,

(1.4.8)

если п — четное.

Согласно (1.4.8) волновая функция основного состояния (состояния с наименьшей энергией) не имеет нулей внутри кванто­вой ямы, функция (волновая функция первого возбужденного состояния) имеет один нуль (узел) внутри КЯ, функция имеет два узла и т.д. Аналогичную зависимость числа узлов волновой функции от номера возбужденного состояния демонстрируют и другие одномерные системы, в которых движение происхо­дит в ограниченной области пространства.

В общем случае, когда разрешенные значения волно­вого вектора (а следовательно, и энергии) можно найти, решая уравнение (1.4.3) численно или графически. Однако и в этом слу­чае удается получить ряд соотношений, облегчающих практиче­ские оценки.

Во-первых, можно показать, что

(1.4.9)

здесь представляет собой эффективную длину области локализации частицы с энергией Еп и отражает тот факт, что частица, преимущественно локализованная внутри КЯ, все же проникает и в области барьеров.

Во-вторых, раскладывая arcsin в ряд, можно получить выраже­ние для оценки разрешенных значений волнового вектора. Полагая Еп<<Uj, получим

(1.4.10)

В первом приближении R1 =R2=1, При этом для Еп/Uтiп <0,25 ошибка в оценке Кп по (1.4.10) будет менее 5 %, Во втором приближении следует полагать

(1.4.11)

здесь - энергия n-го уровня, рассчитанная в первом прибли­жении при Rj=1. При использовании Rj в виде (1.4.11) ошибка в оценке Кп по (1.4.10) будет менее 2 % для Еп/Umin < 0,3 .

В-третьих, для симметричной КЯ (рис. 1.4, б) волновая функция, соответствующая состояниям положительной четности (n = 1 3,5...), может быть представлена в виде

(1.4.12)

где

(1.4.13)

Волновая функция, соответствующая состояниям отрицатель­ной четности (n= 2, 4, 6...),

(1.4.14)

здесь

Cn=-Dn (1.4.15)

Для симметричной КЯ ширины W и глубины U0, введя нормиро­ванные переменные Y = Е/Е* и Х = U0/Е* (Е*=- энергия первого разрешенного уровня в БПЯ), выражение (1.4.2) можно представить в виде

(1.4.16)

Анализ (1.4.16) показывает, что в симметричной КЯ конечной глубины для 0<Х≤1 возможно существование лишь одного раз­решенного состояния с энергией Е1Е*, для 1<xколичество разрешенных состояний равно 2, для 4<X9 равно 3 и т.д. Кроме того, если в симметричной квантовой яме возможно существование n-го энергетического состояния (с n2), то независимо от глубины КЯ U0 а общее число разре­шенных энергетических уровней п в симметричной прямоугольной КЯ можно оценить, используя неравенство

Выполнив разложение (1.4.3) при Y/X<<1 (большие значения W и (или) U0), для основного состояния в первом приближении получим, что

(1.4.17a)

Возникающая при такой аппроксимации ошибка представлена на рис. 1.5. Видно, что при Y>0,37 ошибка определения положения первого разрешенного энергетического уровня в КЯ не превысит 5 %.

Рис.1.5. Характер ошибки, возникающей при аппроксимации выражения (1.4.16): Кривая 1- с использованием (1.4.17а), 2 - с использованием (1.4.17б), 3 - с использованием (1.4.17в), 4 - с использованием (1.4.19), 5 - с использованием (1.4.20)

 

Во втором приближении выражение для оценки Y принимает вид

(1.4.17б)

Такая аппроксимация дает ошибку меньше 5 % для Y ≥ 0,13. Если в (1.4.17б) изменить коэффициент перед в круглых скобках, т.е. положить, что

(1.4.17в)

то погрешность определения Y станет меньше 5 % уже для Y ≥ 0,04

При очень малых W (узкая КЯ) разложение (1.4.3) в ряд для симметричной КЯ позволяет представить выражение для оценки энергии основного состояния в виде

 

или в переменных X и Y

Y (1.4.186)

Данное выражение можно использовать только при очень малых W. Анализ показывает, что расширить интервал приемлемых оце­нок положения основного состояния в КЯ в области малых X мож­но, изменяя коэффициент перед X в знаменателе (1.4.18б). На рис. 1.5 представлено поведение ошибки при использовании выражения

Y (1.4.19)

Еще лучшие результаты могут быть достигнуты при использова­нии выражения

(1.4.20)

Существует и другая возможность для оценки энергетического положения разрешенных состояний в симметричной КЯ конечной глубины. В этом случае, используя (1.4.16), рассчитывают зависи­мости Х от Y. При этом

. (1.4.21)

Зависимости Х(Y) для первых трех энергетических уровней, рассчитанные с использованием (1.4.21), приведены на рис. 1.6. По ним, задаваясь параметрами КЯ W, U0 и т (т.е. X), можно определить Y и энергетическое положение уровней. Видно, что для КЯ за­данной ширины с уменьшением глубины U0 (т.е. X) будут происхо­дить уменьшение энергии разрешенных состояний Y и последова­тельное выталкивание их из ямы (т.е. уровни будут сгущаться медленнее, чем уменьшается глубина ямы). Причем при изменении U0 до En-1() энергия n-го уровня в КЯ конечной глубины будет уменьшаться от Еп() лишь до En-1(), а при даль­нейшем уменьшении U0 п-й уровень будет вытолкнут из ямы.

Решив одномерную задачу, в данном случае легко получить ре­шение и для двумерного, и для трехмерного случая. Например, если частица движется в потенциальном поле U=U(x)+U(y)+U(z), где

, ,

,

то ее волновая функция , a E=E1+E2+E3. В этом случае трехмерное уравнение Шредингера распадается на три независимых одномерных уравнения:

Рис.1.6. Зависимость X(Y) для первых трёх энергетических уровней с n=1,2 и 3 (кривые 1-3 соответственно), рассчитанные с использованием выражения (1.4.21)

 

Таким образом, чтобы получить решение для данной трехмерной задачи, достаточно решить одно из этих уравнений (что мы уже сде­лали ранее) и по аналогии записать решения для двух других урав­нений. Отметим, что при hкаждому значению энергии бу­дет соответствовать одна волновая функция (х,у,z). Другими словами, в системе отсутствуют вырожденные состояния. В случае h=d=W симметрия поля совпадет с симметрией куба и система может иметь двукратно и трехкратно вырожденные уровни. Кроме того, особый характер зависимости потенциаль­ной энергии от координаты в данном случае может приводить к дополнительному (случайному) вырождению.

– Конец работы –

Эта тема принадлежит разделу:

ЛЕКЦИЯ №1 ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЯВЛЕНИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ И ИХ КЛАССИФИКАЦИЯ

ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЯВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ И ИХ КЛАССИФИКАЦИЯ... План лекции... Фундаментальные явления...

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Частица в прямоугольной потенциальной яме.

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Все темы данного раздела:

Фундаментальные явления.
Поведение подвижных носителей заряда (электронов и дырок) в наноразмерных структурах определяют три группы фундаментальных явлений: квантовое ограничение, баллистический транспорт и квантовая интер

Гетеропереходы первого и второго типов.
Рассмотрим одиночный гетеропереход между двумя полупроводни­ками A и B, имеющими в общем случае различную ширину запре­щенной зоны

Энергетическая диаграмма одномерной сверхрешётки
Полупроводниковые квантово-размерные структуры на основе гетеропереходов принято различать по числу направлений, вдоль которых происходит ограничение движения носителей заряда (электронов или дырок

Рассеяние частиц на потенциальной ступеньке.
Проведем анализ системы, в которой частицы, испускаемые ис­точником, удаленным на большое расстояние, рассеиваются на той или иной преграде, уходя после этого в бесконечность. Простейшей м

Потенциальный барьер конечной ширины.
В реальной физической ситуации мы всегда имеем дело с барь­ером конечной ширины. Найдем коэффициенты отражения и про­хождения при движении частицы через прямоугольный потенци­альный барьер ширины

Интерференционные эффекты при надбарьерном пролете частиц.
Рассмотрим особенности прохождения частицы над прямо­угольным потенциальным барьером (рис. 1.2, а), когда E>U1, и E>U2. Сразу отметим, что надба

Особенности движения частиц над потенциальной ямой.
Мы рассмотрели случай, когда полная энергия частицы Е меньше высоты стенок потенциальной ямы (финитное движение). Здесь размерный эффект проявляется в квантовании энергии и волнового вектора

Движение частицы в сферически симметричной прямоугольной потенциальной яме.
Развитие нанотехнологии инициировало широкое исследование новых классов нанообъектов, в частности квантовых точек, в кото­рых осуществляется пространственное ограничение носителей за­ряда в трех из

Энергетические состояния в прямоугольной квантовой яме с бесконечными стенками и дополнительным провалом.
Возможность получения слоев с произвольным профилем из­менения состава позволила для улучшения характеристик прибо­ров использовать структуры с КЯ сложной формы. Так, для созда­ния нового поколения

Энергетическая диаграмма квантовой ямы с конечными стенками и дополнительным провалом.
В реальности мы имеем дело с потенциальными ямами, стенки которых имеют конечную высоту (см. рис. 1.9, а). Рассмотрим влияние конечной высоты стенок на разрешенные значения энер­гии основног

Структура со сдвоенной квантовой ямой. Энергетический спектр частицы в системе с δ-образным барьером.
Выше мы рассмотрели поведение частиц в системах, содержа­щих изолированные КЯ и потенциальные барьеры. Как уже отме­чалось, накопленный к настоящему времени опыт и достижения техники для выращивани

Прохождение частицы через многобарьерные квантовые структуры.
При исследовании поведения частицы (электрона) в системах, содержащих изолированные КЯ и потенциальные барьеры, уста­новлено, что при туннелировании через одиночный потенциаль­ный барьер коэффициен

Электрон-фононное рассеяние.
Расчеты механизмов электрон-фононного рассеяния в низ­коразмерных полупроводниковых структурах показывают, что они во многом схожи с процессами в объемных полупроводни­ках, например, такое рассеяни

Межподзонное рассеяние.
Рассмотрим двумерную электронную систему, локализован­ную в потенциальной яме, входящей в состав модулированно-легированной гетероструктуры или полевого МОП-транзистора. Очевидно, что при достаточн

Экспериментальные данные по продольному переносу
На рис. 6.2 представлены данные, иллюстрирующие прогресс, достигнутый в области повышения подвижности электронов при продольном переносе за последние двенадцать лет в наноструктурах на основе GаАs,

Продольный перенос горячих электронов
В некоторых типах полевых транзисторов и нано­структур кинетическая энергия электронов, ускоряемых элек­трическим полем, может становиться очень высокой и значительно превышать равновесную тепловую

Поперечный перенос в наноструктурах в электрическом поле.
В этом разделе мы рассмотрим движение носителей в направле­нии, перпендикулярном плоскостям потенциальных барьеров, разделяющих квантовые гетероструктуры. Такой вид перено­са часто ассоциируется с

Резонансное туннелирование
Резонансное туннелирование (РТ) сквозь двойной потенци­альный барьер является одним из явлений вертикального квантового переноса, уже нашедший широкое практическое применение в создании диодов и тр

Влияние поперечных электрических полей на свойства сверхрешеток
Ранее уже указывалось, что электронные состояния в сверх­решетках образуют электронные зоны или подзоны, которые гораздо уже, чем соответствующие зоны в обычных кристаллах. Малая ширина зон и энерг

Квантовый перенос в наноструктурах
Рассмотрим далее процессы квантового переноса, происходя­щие при протекании через наноструктуры тока от присоеди­ненных к ним внешних источников. Такие процессы можно также назвать мезоскопическим

Квантовая проводимость. Формула Ландауэра.
Для самого простого описания эффектов квантовой проводи­мости удобно рассмотреть одномерную мезоскопическую по­лупроводниковую структуру, типа квантовой проволоки. Если такая проволока является дос

Формула Ландауэра — Бюттикера для квантового переноса в многозондовых структурах
Полученное в предыдущем разделе выражение (6.15), описыва­ющее квантовый перенос в наноструктуре с двумя контактами, может быть обобщено на случай систем с большим числом кон­тактов. Рассмотрим, на

Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • Популярное
  • Облако тегов
  • Здесь
  • Временно
  • Пусто
Теги