Реферат Курсовая Конспект
Кинематика вращательного движения. Угловая скорость и угловое ускорение. Линейное и нормальное ускорение. Момент силы - раздел Механика, Кинематика Вращательного Движения...
|
Молекулярно-кинетическая теория идеального газа. Закон Максвелла распределения молекул по скоростям. Наиболее вероятная средняя арифметическая скорость молекул.
Молекулярно-кинетическая теория – учение о строении и свойствах веществ, использующее представление об атомах и молекулах как наименьших частицах химических веществ.
Основные положения:
1. Вещество состоит из частиц: атомов и молекул;
2. Эти частицы хаотически движутся;
3. Частицы взаимодействуют друг с другом.
Основное уравнение молекулярно-кинетической теории идеального газа.
1. молекулы обладают пренебрежимо малыми объемами сосуда
2. между молекулами не действуют силы притяжения
3. при соударении молекул друг с другом и со стенками сосуда действуют силы упругого отталкивания.
Основное уравнение молекулярно-кинетической теории
Зависимость давления идеального газа от его температуры и концентрации молекул:
Закон Максвелла распределение молекул по скоростям: в ансамбле множества молекул газа в 1 см3 при нормальных условиях находится 2,7*1019 молекул газа – число Лошмидта. В 1860г Максвелл вывел закон Из этой формулы - формула распределения молекул по скоростям при данной температуре. fm(V) показывает относительное количество молекул, скорость которых находится в данном интервале при конкретной температуре возле значения V.
Наиболее вероятная скорость молекул:
Средняя арифметическая скорость молекул:
Средняя квадратичная скорость молекул:
Равновесные процессы в идеальном газе. Изотермический, изобарический и изохорический процессы.
Применение теоремы Остроградского-Гаусса к расчету электростатических полей в вакууме. Поле однородно заряженной сферической поверхности. Поле объемного заряженного шара
Вектор напряженности, есть вектор силы, и численно равен силе действующей с поля на данную точку, находящаяся на расстояние r от источника поля.
Единица напряженности 1Н/к , это напряжение поля которая действует на точечный заряд в 1 К, силы в 1 Н. Для графических изображения полей используют метод силовых линий.
Силовыми линиями или линиями напряженности называют линиями касательные, к которым в каждой точке пространства совпадают с линиями напряженности в этой точке.
Поток напряженности электрического поля.
Элементарный поток dN - напряженность электрического поля через малый элем. dS , поверхности проводника поля.
-нормаль поверхности dS, рассматриваемой точки пространства
-проекция вектора на единичный вектор
Потк напряженности N равен алгебраической сумме потоков через все равные элементы этой поверхности.
Поток вектора электростатического поля системы точек заряда, сквозь произвольную замкнутую поверхность , равен алгебраической сумме зарядов находящихся внутри этих поверхностей на электрическую постоянную .
Здесь все векторы dS направлены вдоль внешних нормалей, замкнутой поверхности интегрирования S , которая называется Гаусовой поверхностью. Теорема Остроградского –Гауса применяется с суперпозицией полей в вакууме.
С помощью этой теории можно найти напряжение поля бесконечной плоскости, сферы , для этого исследованную поверхность окружают замкнутой поверхность.
Закон Ома в дифференциальной форме. Удельная электропроводность и плотность тока. Закон Джоуля-Ленца в дифференциальной форме. Обобщенный закон Ома для участка цепи.
Электрический ток – упорядоченное движение эл.зарядов. Достаточным условием для существования эл.тока является: наличие электрического поля и наличие свободных носителей заряда. Закон Ома: сила тока, текущего по однородному металлическому проводнику, пропорциональна падению напряжения на проводнике:
Величина R называется электрическим сопротивлением. Сопротивление зависит от формы и размеров проводника, а также от свойств материала, из которого он сделан. Для однородного цилиндрического проводника
где l – длина проводника, S – площадь его поперечного сечения, ρ – удельное электрическое сопротивление.
Векторы j и E. Согласно формуле сопротивление цилиндра равно ρdl/dS. Через поперечное сечение цилиндра течет ток силы j dS. Напряжение, приложенное к цилиндру, равно E dl. Подставим значения
, откуда .
Векторы j и E имеют одинаковое направление. Поэтому можно написать
Эта формула выражает закон Ома в дифференциальной форме.
Обратная ρ величина σ называется удельной электрической проводимостью вещества.
Электрический ток может быть распределен по поверхности, через которую он течет, неравномерно. Более детально можно охарактеризовать ток с помощью векторной величины j, называемой плотностью тока. Чтобы определить плотность тока в некоторой точке пространства, нужно взять в этой точке элементарную площадку dS┴, перпендикулярную к направлению упорядоченного движения носителей тока. Разделив силу тока dI, текущего через эту площадку, на dS┴, получим модуль плотности тока:
Проводник при прохождении по нему тока нагревается. Джоуль независимо от Ленца установили экспериментально, что количество выделившейся в проводнике теплоты пропорционально его сопротивлению, квадрату силы тока и времени:
.
Это формула выражает закон Джоуля-Ленца. С учетом закона Ома закон Д.-Л. Можно представить в виде
Разделим Q на t, получим тепловую мощность тока:
Рассмотрим однородный цилиндрический проводник с площадью поперечного сечения S и длиной l. Допустим, что напряженность поля E и плотность тока j во всех точках проводника
одинакова. В этом случае U = φ1-φ2 = El и j = I/S. Разделив P на объем проводника Sl, получим удельную мощность тока, т.е количество теплоты, выделяемое в единице объема в единицу времени:
Pуд=jE
(векторы j и Е коллинеарны, поэтому их скалярное произведение равно произведению модулей).
Формула выражает закон Д.-Л. В дифференциальной форме. Она справедлива и в том случае, когда jи Е в разных тачках проводника различны.
Обобщенный закон Ома для участка цепи
В случае неоднородного участка цепи, где действует ЭДС
и к концам которого приложена разность потенциалов применим обобщенный закон Ома
Если электрическая цепь замкнута , то т., и тогда можно записать закон Ома для замкнутой цепи
; R=r+R1, где r- внутреннее сопротивление источника тока, R1 –сопротивление внешней цепи.
Если цепь разомкнута то I=0 и тогда из выражения ,следует , что ЭДС в разомкнутой цепи равно разности потенциалов на концах замкнутой цепи.
Проводники в электрическом поле. Электростатическая индукция. Электроемкость уединенного проводника. Конденсаторы. Емкость конденсатора. Параллельное и последовательное соединение Конденсаторов.
В металлических проводниках всегда есть так называемые свободные электроны. Это объясняется тем, что в металлах валентные электроны слабо связаны с позитивно заряженными ядрами атомов и легко отделяются от атомов. Если металлический проводник внести в электрическое поле, то под действием электрических сил свободные электроны перераспределяются: часть их сместится в противоположном от вектора напряженности внешнего электрического поля направлении, а на другой стороне проводника вследствие этого будет не хватать электронов и будет избыток позитивных зарядов. В проводнике возникает произвольное электрическое поле, вектор напряженности которого направлен противоположно к вектору напряженности приведенного поля. Перераспределение зарядов будет длиться пока напряженность поля в середине проводника не будет равняться нулю, а поверхность проводника станет эквипотенциальной – линии напряженности внешнего поля будут перпендикулярны к поверхности проводника. Это ведет к тому, что внесенный в электрическое поле проводник деформирует данное поле; одна часть линий напряженности разрывается проводником, а остальные отклоняются в сторону проводника. Поскольку теперь в середине проводника электрического поля нет, то картины деформированного поля будут одинаковые и для целостного, и для пустополостного проводника.
Если в пустополостной проводник внести какое-то тело, то на него будет действовать внешнее электрическое поле. Это явление используется для экранизации (электростатической защиты) чувствительных устройств и узлов машин.
Сообщим некоторому проводнику заряд q. Этот заряд распределится по поверхности проводника так, чтобы выполнялись условия E=0 и E=Eп . Если сообщить проводнику еще такую же порцию заряда q, она распределится по поверхности точно так же, как и первая. Любая последующая порция заряда распределится на поверхности аналогично предыдущему. Это утверждение справедливо только для уединенного проводника.
Различные по величине заряды распределяются по поверхности уединенного проводника подобным образом: отношение плотностей заряда в двух произвольно взятых точках поверхности при любой величине заряда будет одним и тем же. Отсюда следует, что потенциал уединенного проводника пропорционален находящемуся на нем заряду. Вследствие подобия в распределении зарядов увеличение в некоторое число раз заряда приводит к увеличению в такое же число раз напряженности поля в каждой точке окружающего проводник пространства. Соответственно в такое же число раз возрастает работа переноса единичного положительного заряда из бесконечности на поверхности проводника, т.е. потенциал проводника.
q = Cφ
Коэффициент пропорциональности С называется электроемкостью уединенного проводника.
C = q/φ
Электроемкость уединенного проводника численно равна заряду, сообщение которого повышает потенциал проводника на единицу.
Конденсатор – система из двух проводников, разделенных слоем диэлектрика, толщина которой мала по сравнению с размерами проводников. Емкость проводника возрастает при приближении к нему другого проводника. Это вызвано тем, что под действие поля, создаваемого заряженным проводником, на находящемся поблизости незаряженном проводящем теле возникают индуцированные заряды. Индуцированный заряд иного знака, чем заряд q на проводнике, располагается ближе к проводнику, чем одноименный с q индуцированный заряд, и, следовательно, оказывает большее влияние на его потенциал.
Найдем емкость плоского проводника. Пусть площадь обкладки равна S, а расстояние между обкладками d. Зазор между обкладками заполнен диэлектриком с проницаемостью ε. Вблизи краев обкладок поле будет постепенно ослабляться. Приняв во внимание, что диэлектрик ослабляет поле в ε раз, получим для напряженности поля в диэлектрике выражение
Напряжение между обкладками
Отсюда емкость плоского конденсатора
Емкость цилиндрического конденсатора определяется выражением
Располагая некоторым набором конденсаторов, можно получить много различных значений емкости, если применить соединение конденсаторов в батареи.
При параллельном соединении одна из обкладок каждого конденсатора имеет потенциал φ1, а другая φ2. Поэтому на соединенных вместе обкладках накапливается суммарный заряд
Разделив этот заряд на приложенное к батарее напряжение , найдем емкость батареи:
Т.о. при параллельном соединении конденсаторов емкости складываются.
При последовательном соединении первая обкладка каждого следующего конденсатора образует со второй обкладкой предыдущий единый проводник, на котором при подключении напряжения возникают индуцированные заряды. Напряжение на каждом из конденсаторов
Сумма этих напряжений равна напряжению U, приложенному к батарее:
Отношение U к q дает величину, обратную емкости батареи C. Следовательно
При последовательном соединении конденсаторов складываются величины, обратные емкости.
Действие магнитного поля на ток (сила Ампера).
Направление силы Ампера определяется правилом левой руки. Модуль силы Ампера:
,
Магнитная проницаемость среды. Закон Био-Савара-Лапласа. Примеры простейших магнитных полей проводников с током.
Закон Био-Савара-Лапласа: элементарный вектор ,связанный с бесконечно малым элементом тока, прямопропорционален величине этого элемента ,синусу угла между касательной к элементу тока и направлением на данную точку поля и обратно пропорционален квадрату расстояния от элемента тока до данной точки:
Здесь Мо- магнитная постоянная
М – магнитная проницаемость среды – число, определяющее, во сколько раз магнитная индукция поля в среде (или меньше) магнитной индукции поля в вакууме:
Примеры магнитных полей
1. Линии прямолинейного проводника с током -концентрические круги, охватывающие проводник
2. Линии кругового проводника и катушки или соленоида
перпендикулярные плоскости витков внутри их и замыкаются извне.
3. Линии поля постоянного магнита изображают как так1, что выходят из полюса N, входит в полюс S и продлеваются внутри магнита. Магнитные линии поля катушки и штабного магнита аналогичные.
4. Линии традиционной катушки находятся только внутри. При большом радиусе (что значительно больше радиуса обмотки) - поле однородное
Сегнетоэлектрики. Доменная структура сегнетоэлектриков . Влияние температуры на сегнетоэлектрические свойства. Диэлектрический гистерезис. Остаточная поляризованность и коэрцитивная сила
Среди диэлектриков встречаются такие, которые имеют очень большое значение относительной диэлектрической проницательности. Их называют сегнетоэлектрики.
При комнатной температуре относительная диэлектрическая проницаемость достигает 10 000. К сегнетоэлектрикам принадлежат BaTiO3, PbTiO3, LiNbO.
Все сегнетоэлектрики – тела кристаллической основы, к тому же у них нет центра симметрии.
Взаимодействие частиц в кристалле сегнетоэлектрика приводит к тому, что их дипольные моменты спонтанно устанавливаются параллельно друг другу. В исключительных случаях одинаковая ориентация дипольных моментов распространяется на весь кристалл. Обычно же в кристалле возникают называемые доменами области, в пределах каждой из которых дипольные моменты параллельны друг другу. Однако направление поляризации разных доменов бывают различными, так что в результирующий момент всего кристалла может быть равен нулю. При включение поля вначале происходит смещение границ между доменами, результате чего происходит увеличение тех доменов, моменты которых составляют с Е меньший угол, за счет доменов, у которых угол Р и Е больше.
На следующей стадии происходит поворот моментов доменов в направление поля.
В связи с наличием доменов спонтанной поляризации сегнетоэлектрики имеют и другие специфические свойства:
Высокая диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков проявляется в целом в определенных температурных интервалах. Для каждого из них существует такая температура Ө, выше или ниже от которой сегнетоэлектрические свойства ослабевают. Эту температуру называют Точкой Кюри. Например, для титана бария Ө=350К.
Когда температура сегнетоэлектрика достигает значения Точки Кюри, растет тепловое движение частиц и нарушается ориентация дипольных моментов в областях неожиданной поляризации – домены разрушаются и сегнетоэлектрики превращаются в обычных диэлектриков.
Сегнетоэлектрики в точке Кюри превращаются в обычные полярные диэлектрики, без каких – либо выделений теплоты.
Для сегнетоэлектриков существует специфическая зависимость вектора поляризации Р от напряженности внешнего электрического поля Е, что называется диэлектрический гистерезис.
С увеличением напряжения внешнего поля вектор поляризации быстро растет, наступает состояние насыщения. Если после этого напряженность электрического поля уменьшать и довести до 0, то поляризация уменьшается с запозданием и достигает остаточного значения рз. Остаточная поляризация исчезает только при наложении определенного электрического поля противоположного направления - Ек. Напряженность Ек поля, при которой удаляется остаточная поляризация данного диэлектрика, называется его коэрцитивной силой.
Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые диоды, транзисторы. Физика процессов в полупроводниковых устройствах. Применение полупроводниковых устройств.
Транзисторами называются полупроводниковые приборы на основе кристалла с двумя р-n переходами и служащие для усиления электрических сигналов. В структуре транзистора возможно количество переходов, отличное от двух. Транзисторы с двумя р-п переходами называются биполярными, так как их работа основана на использовании зарядов обоих знаков. Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал, и управляемый электрическим полем. В полевом транзисторе используются заряды одного знака. В кристалле полупроводника транзистора созданы три области электропроводности с порядком чередования р-n-р или n-р-n.
Средняя область кристалла транзистора называется базой, крайние области — эмиттером и коллектором. Переходы между базой и эмиттером и базой и коллектором называются соответственно эмиттерным и коллекторным. Для обозначения величин, относящихся к базе, эмиттеру и коллектору, применяют буквы б, э, к. На изображении транзистора стрелка указывает условное направление тока в эмиттере от плюса к минусу. В зависимости от напряжений на переходах транзистора он может работать в трех режимах. Активный режим Получается при напряжениях прямом на эмиттерном и обратном на коллекторном переходах. Режим отсечки или запирания — напряжения на обоих переходах обратные. Режим насыщения — напряжения на обоих переходах прямые. Основным является активный режим. В схеме с транзистором образуются две цепи — входная и выходная. Во входную цепь включается управляющий сигнал, который должен быть усилен, а в выходную — нагрузка, на которой выделяется усиленный сигнал.
Статические параметры транзистора — параметры, определяемые при постоянном напряжении на всех его электродах.
Схемы включения транзисторов разделяются в зависимости от того, какой электрод транзистора является общим относительно входного и выходного переменных напряжений. В соответствии с этим схемы называются схемами с общим эмиттером — ОЭ, общей базой — ОБ, общим коллектором — ОК Схема ОЭ является более распространенной, так как дает наибольшее усиление по мощности. Данные схемы включения транзисторов приведены на рис. 2. 3.
Рис. 2. 3. Схемы включения транзисторов
а.) с общим эмиттером; б) с общей базой; в) с общим коллектором. ИС — источник сигнала, подаваемого на вход транзистора, Uвх, Uвых — входное и выходное напряжения сигнала, Uбэ, Uбк, Uкэ — напряжения между базой и эмиттером, базой коллектором, коллектором и эмиттером, iб,iэ,iк- токи базы, эмиттера и коллектора, E1, Е2 — источники питания, С1, С2, — конденсаторы большой емкости, сопротивление которых для переменного сигнала является малым и через которые коллектор по переменному току замкнут, являясь в схеме общим.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ.
Полупроводниковым диодом называется прибор, основой конструкции которого является один р-n переход. Условное обозначение диода сохранилось от первых электровакуумных диодов. В изображении черта означает катод, а треугольник анод. Чтобы это запомнить, достаточно представить, что катод испускает электроны, и они выходят из него расходящимся пучком, образуя треугольник. Если считать проводимость диода направленной от плюса к минусу, то она будет соответствовать стрелке, образованной вершиной треугольника. Универсальные и импульсные диоды — полупроводниковые диоды, имеющие малую длительность переходных процессов включения и выключения и предназначенные для применения в импульсных режимах работы. Стабилитрон — полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения. Обратная ветвь вольт-амперной характеристики этого диода является почти прямой линией, поэтому при изменении тока, проходящего через прибор, напряжение на нем практически не меняется.
а) выпрямление переменного тока с помощью выпрямительного диода. Rнагр — сопротивление нагрузки; 6) стабилизация напряжения с помощью стабилитрона. Uвх — входное напряжение, Uвых — выходное напряжение; в), г) вольт-амперные характеристики. iпр, Unp, iобр.Uобр ~ прямые и обратные токи и напряжения, Uст — стабилизированное напряжение.
Применение полупроводников обеспечило повышение быстродействия и надежности ЭВМ, уменьшило их габариты, энергопотребление и стоимость. К моменту смены элементной базы произошли также существенные изменения в структуре, архитектуре и режимах использования компьютеров.
Полупроводники используют в качестве термометров для замера температур окружающей среды. Они более чувствительны, чем термометры сопротивления, изготовляемые из металла под названием болометров и применяемые в лабораторной практике для измерения очень высоких или самых низких температур.
46.Основы теории Максвелла для электромагнитного поля. Уравнение Максвелла. Ток смещения.
Электромагнитное поле – это особый вид материи, посредством которого происходит электромагнитное взаимодействие.
В соответствии с теорией Максвелла всякое переменное магнитное поле возбуждает в окружающем пространстве электрическое поле , которое и является причиной возникновения индуктивного тока в контуре – это первое основное положение теории Максвелла.
Вихревое поле связанно с изменениями магнитного потока. Циркуляция вектора напряженности этого поля
Ф(поток) dl = Ф dl = -
Поток вектора =Ф=Фd,=> Ф d= - Фd
Т.к. циркуляция вектора не равна 0, то электрическое поле, возбуждающееся переменным магнитным полем, является вихревым.
Суммарное Эл.поле: =q+, т.к. q =0, то циркуляция суммарн.поля:
Фd= - d- это первое уравнение
Максвелла для электрического поля
Ф=BScosα
Теория Максвелла — это теория единого электро магнитного поля, создаваемого произвольно системой зарядов и токов.
Эта теория носит феноменологический характер: описывает только явления, то, что происходит внешне без внутреннего механизма явлений. Максвелл высказал гипотезу, что всякое переменное магнитное поле возбуждает в окружающей среде электрическое поле.
Электрическое поле возбуждается магнитным полем и, как само магнитное поле, является вихревым. Согласно Максвеллу циркуляция электрического поля , возбуждаемое магнитным полем, как и само магнитное
Для того, чтобы выразить через порождающее его переменное во времени магнитное поле, Максвелл предложил соотношение:
Здесь — напряженность возбуждаемого электрического поля,
L — замкнутый контур,
dl — его элемент,
— вектор магнитной индукции,
S — поверхность, натянутая на контур L,
dS — элемент, n — нормаль к поверхности.
Ток смещенияТак как переменное магнитное поле возбуждает в окружающем пространстве вихревое электрическое поле, то и наоборот изменение электрического поля должно вызывать в пространстве вихревое магнитное поле. Для установления соотношения между изменениями электрического и вызываемого им магнитного полями Максвелл рассмотрел ток смещения.
Если в цепи есть конденсатор, то между обкладками имеемся переменное электрическое поле, поэтому, согласно Максвеллу, через конденсатор «протекает» ток смещения, то есть он протекает там, где нет проводника.
Переменное электрическое поле создает в зазоре конденсатора такое магнитное поле, как если бы между обкладками протекал ток смещения, равный току в подводящих проводах, то есть ток смещения:
Iсм=I
Ток проводимости вблизи обкладок конденсатора равен:
σ — поверхностная плотность заряда на обкладках конденсатора,
D — вектор электрического смещения и он равен
Так как ток I равен интегралу по поверхности , а ток I=Iсм, то
Полный ток равен сумме тока проводимости I и тока смещения
Введя понятие тока смещение и полного тока можно понять замкнутость цепи переменного поля.
Полный ток всегда замкнут, а на концах проводника обрывается лишь ток проводимости, а в вакууме или в диэлектрике между концами проводника имеется ток смещения, который замыкает ток проводимости.
Ток как циркуляция вектора напряженности магнитного поля Н по замкнутому контуру L равна сумме токов проводимости, охватываемых контуром, т.е.:
Плотность тока смещения: Icм=D-вектор Эл.смещения
Максвелл ввел понятие полного тока, равного Σ токов проводимости и смещения
Плотность полного тока Iполн=Iэл.статт+
Полный ток всегда замкнут. На концах проводников обрывается лишь ток проводимости, а в диэлектриках(или в вакууме) между концами проводников имеется ток смещения , кот. Замкнут ток проводимости. В диэлектриках всегда есть ток смещения. Из всех физических свойств, присущих току проводимости, Максвелл приписал току смещения лишь способность создавать в окружающем пространстве магнитное поле.
Максвелл обобщил теорию о циркуляции вектора , используя полный ток
Жидкие кристаллы. Молекулярная структура нематических и смектических жидких кристаллов. Особенности молекулярной структуры холестерических жидких кристаллов и их практическое использование.
Жидкие кристаллы это вещества обладающие свойствами как жидкости так и кристалла. По своим механическим свойствам они похожи на жидкости (они текут) что касается отличного свойства то они введут себя как анизотропные тела, как кристаллы, ни выражают плоскость обладающей двойным лучепреломлением, Жидкокристаллические свойства проявляются в определенном интервале температур, выше которой они находятся в аморфном состояние , ниже в твердокристаллическом. Двойственность физических свойств представлено их внутренним строением, т.е. структурой. Взаимное расположение молекул в них является промежутком между аморфным состоянием, в котором отсутствует порядок и твердокристаллическом в котором существует как дальний порядок рак и упорядоченность ориентированных молекул.
Молекулы имеют вытянутую форму в виде овалов или продолговатых пластинок. Различают жидкие кристаллы пневматического и смектического типов. У пневматического ж.к. центры молекул расположены в пространстве хаотически , но их оси строго параллельны. У смектического ж.к. молекулы расположены в параллельных слоях и в пределах каждого слоя они строго упорядочены .Особый тип ж.к. представляет собой холестерические ж.к. У холестерические ж.к. молекулы распложены в плоскостях подобно смектическому типу. Однако в пределах каждого слоя центры молекул расположены произвольно, но их вытянутые оси остаются параллельно, кроме того у халерестических ж.к. при переходе из одного слоя к другому ориентация длинных осей молекул разворачивается на некоторый угол относительно такового в предыдущем слое, так что создается винтовая закручиваемость структуры.
У холестерические ж.к. Структура молекул крайне чувствительна к внешним воздействиям на этом основано их практическое использование, например дисплей ж.к. монитора. При небольших изменениях температуры цвет холестерические ж.к. может изменяться от фиолетового до красного на этом основано их другое практическое применение . Пленку с ж.к. веществом наклеивают на поверхность тела по котором имеется градиент температур и по установленной цветовой картине судят о температуре в любой точке температурного поля, так и о величине градиента температур
49.Колебания. Гармонические колебания. Амплитуда, циклическая частота, частота, фаза, период колебаний. Дифференциальное уравнение гармонических колебаний
Колебания –это движения или процессы, обладающие той или иной повторяемостью во времени. Колебания широко распространены в природе (например, качания маятника часов, напряжение между обкладками конденсатора в контуре радиоприемника). Колебания могут быть разной природы. В физике рассматриваются механические, электромагнитные и электромех. колебания. В зависимости от характера воздействия на колеблющуюся систему различают свободные (которые происходят в системе, предоставленной самой себе после того, как ей был сообщен толчок или она была выведена из положения равновесия), вынужденные (в процессе которых колеблющаяся система подвергается воздействию внешней периодически изменяющейся силы), автоколебания (в процессе которых колеблющаяся система подвергается воздействию внешней периодически изменяющейся силы, но эти воздействия осуществляются самой колеблющееся системой)
Гармонические колебания – такие колебания, при которых колеблющаяся величина изменяется со временем по закону синуса или косинуса. Они происходят под действием силы F, пропорционально смещению х тела из положения равновесия и направленной в сторону положения равновесия: F=-kx,
Закон движения гармонических колебаний: x= A sin(ωt + φ0).
A — максимальное значение колеблющейся величины, которая называется амплитудой колебания,
ω — круговая или циклическая частота,
φ0 — начальная фаза колебания в момент времени t=0.
ω0t+φ — фаза колебания в момент времени t.
Обратная частоте колебаний величина – период колебаний Т (время,за кот.происходит одно полное колебание),
Связь ω, ν и Т: ω= 2π ν=
Величина φ = ω0t+ φ0 называется фазой колебаний и характеризует состояние колебательного процесса в любой момент времени, φ0 – начальная фаза колебаний.
При гармонических колебаниях определенное состояние колеблющейся системы повторяется через промежуток времени Т, который называется периодом колебаний и за который фаза колебаний получает приращение 2π.
ω0(t+Т)+φ=(ω0t+φ)+2π
Т=2π/ω0
Величина, обратная периоду колебаний ν=1/Т называется частотой и представляет собою число полных колебаний в единицу времени.
ν = , Гц (герц)=с-1,
Если сопоставить эти уравнения, то можно получить:
ω0=2πν
Дифференциальное уравнение гармонических колебаний
Возьмем первую и вторую производную по времени от величины S:
= - Аω0sin(ω0t+φ)=Aω0cos(ω0t+φ+π/2)
Это можно переписать:
(sinα=-cosα+π/2)
= - Aω02cos(ω0t+φ)=Aω02cos(ω0t+φ+π)
При этом используется соотношение сosα=- cosα+π.
Гармонические колебания имеют ту же циклическую частоту, но амплитуды соответственно равны Аω0 и Aω02, а фазы отличаются на π/2 и π соответственно.
Из выражения второй производной следует дифференциальное уравнение гармонических колебаний:
S=Acos(ω0t+φ)
50. Механические гармонические колебания. Энергия гармонических колебаний. Электрический колебательный контур. Формула Томпсона
Сложение гармонических колебаний одного направления и одинаковой частоты. Сложение гармонических колебаний одного направления и мало отличающиеся по частоте. Биения. Сложение взаимно перпендикулярных колебаний. Фигуры Лиссажу.
Тело может участвовать в нескольких гармонических колебаниях.
Сложим колебания одного направления одинаковой частоты:
x1 =A1cos(ω0t+φ1)
х2=A2cos(ω0t+φ2)
Если векторы А1 и А2, вращаются с одинаковой угловой скоростью ω0. И разность фаз φ2- φ1=const., то ур-е результирующих колебаний может иметь вид:
х= x1+ x2=Аcos(ω0t+φ)
A u φ определяются из выражений:
A2=A12+A22+2A1A2cos(φ2- φ1)
Тело, участвуя в двух гармонических колебаниях одного направления и одинаковой частоты, совершает также гармонические колебания в том же направлении и с той же частотой, но амплитуда этих результирующих колебаний зависит от разности фаз (φ2- φ1).
Частные случаи:
1. (φ2- φ1)=±2nπ (n=1,2,3,…)
A=A1+A2
2. (φ2- φ1)= ±(2n+1)π
A=|A1-A2|
В результате сложения получаются колебания с периодически изменяющейся амплитудой. Периодические изменения амплитуды при сложении колебаний с близкими частотами называются биениями.
Пусть амплитуды A1=A2=A
ω и ω+∆ω
∆ω<<ω
Если начальные фазы обоих колебаний равны 0, то:
x1=Acos(ωt)
х2=Acos(ω+∆ω)t
Сложим колебания х1 и х2 и учтем, что ∆ω/2<<ω, что
cos x+cos y=2cos(x+y)/2*cos(x-y)/2
cos(-α)=cos(α)
Получим:
x=(2Acos(∆ωt/2))cos ωt
Амплитуда биения:
ωбиен=∆ω
Рассмотрим сложение двух гармонических колебаний одинаковой частоты ω, происходящих во взаимно перпендикулярных направлениях вдоль осей х и у. Если начальная фаза первого колебания равна 0, то:
х=Acosωt
у=Вcos(ωt+ α)
α — разность фаз этих колебаний.
Тогда:
Так как cosωt =х/А, а sinωt=
Это ур-е эллипса, оси которого произвольно ориентированы относительно осей координат, а результирующие колебания называются эллиптически поляризованными.
Частные случаи:
1. Если α=mπ (m=1, 2, 3, …, n), то эллипс превращается в прямой отрезок:
Результирующие колебания — гармонические, с частотой ω, а амплитуда
А=
Эти колебания называются линейно поляризованными.
2. Если α=π/2(m+1) (m=±1, ±2, ±3, …, ±n)
— это уравнение эллипса, оси которого совпадают с осями координат х и у, а его полуоси — амплитуды колебаний.
Если А=В, эллипс превращается в окружность и такие колебания называются поляризованными по кругу.
Если частоты, суммируемых взаимно перпендикулярных колебаний различны, то замкнутая траектория результирующих колебаний сложная. Такие колебания называются фигурами Лиссажу.
Вид этих кривых зависит от соотношения амплитуд, частот колебаний и разности их фаз.
Кривые Лиссажу можно оценить неизвестную частоту по известной или определить отношение частот суммируемых колебаний.
Анализ фигур Лиссажу используется как метод оценки соотношения частот разности фаз суммируемых колебаний.
Дифференциальное уравнение свободных затухающих колебаний. Период и частота затухающих колебаний. Время релаксации. Период и частота затухающих колебаний. Логарифмический декремент затухания и добротность.
В реальной колебательной системе из-за рассеяния энергии упругих колебаний, амплитуда с течением времени уменьшается и это называется затуханием колебаний.
Затухание колебаний обусловлено трением в системе, возбуждением в окружающей среде упругих волн.
Затухание в электрических колебательных системах обусловлено омическими потерями на излучение электромагнитных волн, а также потерями в ферромагнетиках и диэлектриках из-за магнитного и электрического гистерезиса.
Дифференциальное уравнение свободных затухающих колебаний описывается:
S — колеблющаяся величина
δ — коэффициент затухания
ω0 — циклическая частота свободных колебаний, являющихся собственной частотой колебательной системы.
Решение этого уравнения имеет вид:
S=e-δtu u=u(t)
Если взять первую и вторую производные от u по t и подставить их в исходное уравнение, то u′′+(ω02 – δ2)u=0
Решение этого уравнения зависит от знака коэффициента перед u:
Если ω02 – δ2>0, то обозначим ω2= ω02 – δ2, тогда u′′+ ω2u=0, а решение уравнения будет:
u=A0cos(ωt+φ)
При малых затуханиях, то есть δ2<< ω02
S=A0e-δtcos(ωt+φ)
где А=A0e-δt
A0 — амплитуда начальных колебаний,
А — амплитуда затухающих колебаний.
Промежуток времени τ=1/δ называется временем релаксации и показывает величину промежутка времени, в течении которого А уменьшается в е раз.
Затухающие колебания не являются периодическими, но если затухание мало, то можно условно пользоваться понятием периода и частоты.
Если амплитуда А(t) и А(t+Т), то их отношение будет равняться еδе.
еδt — декремент затухания.
А логарифм этого отношения называется логарифмическим декрементом затухания.
Ne — число колебаний з время уменьшения амплитуды в е раз.
Для характеристики колебаний системы используется также понятие добротность:
Волновые процессы. Продольные и поперечные волны. Уравнение бегущей волны. Длина волны, волновое число ,фазовая и групповая скорости. Интерференция волн. Когерентность. Стоячие волны. Эффект Доплера в акустике.
1)Волновой процесс– процесс распространения колебаний в сплошной среде. Среда рассматривается каксплошная,непрерывно распределенная в пространстве, обладающая упругими свойствами.
Непрерывное геометрическое место точек волны, колеблющихся в одинаковых фазах, называют волновой поверхностью. Переднюю волновую поверхность, т.е. наиболее удаленную от источника, создающего волны, называют фронтом волны. Фронт волны представляет собой поверхность, которая отделяет часть пространства, уже вовлеченную в волновой процесс, от области, в которой колебания еще не возникли. Линию, вдоль которой происходит распространение фронта волны, называют лучом.Сама же волна - процесс распространения колебаний от их источника в окружающем пространстве. Основным свойством всех волн является перенос энергии без переноса вещества. Волна может распространяться в направлении колебаний и поперек.
Типы волн: волны на поверхности жидкостей, упругие – механические возмущения, распростр. в упругой среде, электромагнитные
Групповая скорость
Составим волновой пакет из двух гармонических волн с одинаковой амплитудой, близкими частотами и близкими волновыми числами, то есть:
V= ω/k.
Учтем, что k=2π/λ.
Следовательно, скорость u может быть больше или меньше v в зависимости от знака . В не диспергирующей среде =0. Из теории относительности следует, что групповая скорость u£c. Однако для фазовой скорости ограничений нет.
Энергия и импульс электромагнитных волн
Электромагнитные волны переносят энергию, объемная плотность которой складывается, суммируется из двух составляющих - объемной плотности электрического и магнитного полей.
W=Wэл+Wмагн=εε0Е2/2+μμ0Н2/2
Е= Н
Можно сделать вывод, что плотности энергий электрического и магнитного полей электромагнитных колебаний равны, значит
W=2 Wэл= εε0Е2=EH
Однако, скорость распространения магнитных волн:
v==(1/)(1/)
С=1/ W=EH/v
P=W/c
В вакууме, где скорость распространения равна скорости света, можно записать:
P=mc. Отсюда: W=mc2 .Последнее соотношение является универсальным законом природы, подробно рассматривается в специальной теории относительности.
ИЗЛУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЛН
Элементарной излучающей системой, то есть элементарным осциллятором является электрический диполь, электрический момент которого изменяется во времени по гармоническому закону:
P=P0cosωt
Здесь P0 — амплитуда вектора Р.
Волновая зона диполя — это точки пространства, отстоящие от диполя на расстояние r>>λ. При выполнении этого условия картина электромагнитного поля диполя упрощается. В волновой зоне диполя имеет место только свободно распространяющиеся поля, в то время как поля, колеблющиеся вместе с диполем и имеющие сложную структуру, сосредоточены в области r<λ.
В волновой зоне волновой фронт является сферическим, то есть волна, излучаемая диполем, является сферической. В каждой точке векторы Е и Н колеблются по закону: cos(ωt-kr), амплитуды этих векторов пропорциональны величине (1/r)sinθ.
Они также зависят от угла θ между направлениями радиуса вектора и осью диполя.
Интерференция света. Расчет интерференционной картины от двух когерентных источников. Дифракция света. Принцип Гюйгенса-Френеля. Зоны Френеля. Дифракционная решетка.
1. Интерференция – это явление наложения нескольких когерентных волн, при котором происходит устойчивое во времени их взаимное усиление в одних точках пространства и ослабление в других в зависимости от соотношения между фазами этих волн. Такое чередование максимумов и минимумов амплитуды колебаний, образующееся путем перераспределения в пространстве энергии накладывающихся когерентных волн.
Когерентность – согласованное протекание во времени и пространстве нескольких колебаний или волновых процессов. Когерентные волны – это волн, у которых разность фаз не зависит от времени, или гармонические волны, имеющие одинаковую частоту.
Дифракция света
Дифракция волн – это явление огибания волнами краев неоднородностей на пути волн. Дифракция появляется в случаях, когда размеры неоднородностей соизмеримы с длиной волны. Но если дифракция не появляется, то это не значит, что она отсутствует вообще – она происходит на больших расстояниях от неоднородности.
Аn=(Аn-1+ Аn+1)/2
Тогда все выражения в скобках обратятся в 0, амплитуда результирующего колебания равна:
А=А1/2
Таким образом амплитуда определяется наложением вторичных волн, а ее величина определяется колебаниями, волнами, приходящими с площади первой зоны Френеля, которая равна:
Если принять R равным r и равным 1м, а длину волны λ=0,5 микрона, то площадь участка волновой поверхности определяет амплитуду световой волны в точке F будет около ¾ мм2, следовательно, распространение происходит прямолинейно.
Если на пути световой волны поставить экран с круглым отверстием, равным первой зоне Френеля, то амплитуда световой волны в точке F станет равной А1, то есть возрастет в 2 р, а значит освещенность в этой точке возрастет в 4 р по сравнению с той, которая была бы без экрана с отверстиями.
Отличие физических картин распространения света проявляется при взаимодействии света с неоднородностями, расположенными на пути распространения света. Под неоднородностями понимают непрозрачные экраны, щели и макроскопические тела различной формы.Встречаясь с ними, свет испытывает отражение и в результате изменяется вид волнового фронта. При взаимодействии лучей света с макроскопическими неоднородностями форма волнового фронта не изменяется. При прохождении лучей света через широкую щель в экране, наблюдается четкое изображение щели с резкой границе света и тени. В этом случае действие экрана сводится лишь к уменьшению площади видимого фронта. При уменьшении размера щели ее изображение становится менее четким и , граница света и тени за экраном менее резкие и появляется область полутени. Эта картина проникновения света в область геометрической тени обусловлена волновым характером распространения света в соответствии с принципом Гюйгенса и представляет собою дифракцию света.
Если площадь непрозрачного объема сравнима с площадью поверхности волнового фронта так, что открыты или закрыты малые участки фронта, включающие небольшое число зон Френеля, наблюдается дифракция, которая является следствием интерференции вторичных волн, испускаемых открытыми зонами, следовательно, эта область применимости волновой оптики. Если же непрозрачный объект закрывает площадь, перекрывающую большое число зон Френеля, то в формировании нового волнового фронта участвуют все зоны Френеля и в этом случае применима геометрическая оптика.
Тепловое излучение. Абсолютно черное тело. Закон Кирхгофа. Закон Стефана-Больцмана. Квантовая гипотеза и ф-ла Планка. Внешний фотоэффект и его законы. Уравнение Эйнштейна. Масса и импульс фотона. Эффект Комптона.
Нагретые тела светятся. Свечение твёрдых тел обусловлено нагреванием и такое свечение называется тепловым. Тепловое излучение совершается за счёт энергии теплового атома при температуре больше 0 кельвинов. Тепловое свечение хар-ся атомным спектром у которого положение максимума зависит от плюса в области низких и умеренных температур излучаются длинные т.е. инфракрасные электромагнитные волны, а при высоких температурах излучаются короткие волны- это видимый свет. Количественной хар-кой теплового излучения служит спектральная плотность энергетической светимости тела, т.е. мощность излучения с единицей площади поверхности тела в интервале частот единичной ширины.
Эти величины зависят от природы тела, его температуры при этом отличаются частотами. Тело способное поглощать при любой температуре падающего на него любого излучения любой частоты называется абсолютно чёрным телом. В природе абсолютно чёрного тела не бывает, но некоторые тела, например, сажа, чёрный бархат, в определенном интервале частот близки к нему. Идеальная модель чёрного тела - замкнутая плоскость с небольшим отверстием, причём внешняя поверхность этой плоскости покрыта краской чёрного цвета. Луч света, попавший внутрь плоскости многократно отражается от стенок и в результате этого интенсивность вышедшего излучения практически равна 0.
Закон Киргофа:
«Спектральная плотность энергетической светимости любого тела в любой области спектра всегда меньше спектральной плотности энергетической светимости чёрного тела» (константы, кроме того следует что если тело при данной температуре не поглощает электромагнитные волны интервала от, то оно их и не излучает т.к. при , з-н Киргофа описывает только тепловое излучение и служит надёжным критерием при определении природы излучения.)
Закон Стефана-Больцмана- устанавливает зависи-мости спектральной плотности энергетической светимости чёрного тела от до T , но в явном виде , т.е. энергетическая светимость черного тела пропорциональна 4 степени его абсолютной температуры,Вт/м, экспериментально получены зависимости функции от при разных температурах показали, что распределение энергии в спектре чёрного тела является неравномерным.
Кривые имеют максимумы которые при увеличении температуры смещаются в сторону, площадь ограниченная кривой зависимости и пропорциональна согласно закону С-Б 4 степени температуры.
Планк нашёл вид функции , который точно соответствовал опытным экспериментальным данным он сделал принципиально новое предположение, что электромагнитное излучение испускается не непрерывно, а в виде отдельных порций называемых квантами их величина пропорциональна частоте излучения.Дж*с. Если излучения испускаются порциями, то его энергия должна быть кратной этой величине , где n=1,2,3,.. определим среднюю энергию электромагнитных колебаний или стоячей волны в полости, в состоянии равновесия распределение колебаний по энергии должно подчиняться закону Больцмана, а вероятность что энергетические колебания с частотой имеют значения , описывается выражением , значение этой энергии , можно получить формулу
- формула Планка, она хорошо согласуется с экспериментальными данными во всём интервале частот, она полностью описывает равновесное тепловое излучение.
Внешний фотоэффект -испускание электронов веществом под действием света. Эффект открыт Герцем, он установил, что проскакивание искры между электродами разрядника облегчается если один из электронов осветить ультрафиолетовыми лучами. Томпсон измерил удельный заряд испускаемых под действием света частиц и установил, что эти частицы электроны. Оба электрода катод и анод помещены в вакцинированный баллон и подключены к батареи, свет проникает через кварцевую пластину и падает на катод, вследствие фотоэффекта с катода испускаются электроды и под действием электрического поля движутся к аноду, соответственно в цепи течёт фототок, напряжение между катодом и анодом может быть изменено потенциометром. При некотором значении напряжения фототок достигает насыщения т.к. все испускаемые катодом электроды достигают анода т.е. и насыщение определяется количеством электродов испускаемых катодом в единицу времени причём испускание происходит под действием света. Электроды, покидающие катод имеют разную скорость. При напряжении, равном 0 часть электродов обладающих скоростями достаточных чтобы долететь до анода без помощи ускоряющего поля достигают анода и оседают на нем. Эта часть электрона определяет ток для обращения фототока в 0 - ур-е Эйнштейна. Для проявления фотоэффекта должно выполняться неравенство
, или - определяет красную границу фотоэффекта.
Законы фотоэффекта:
1. Сила тока насыщения прямо пропорциональна мощности светового излучения, падающего на его поверхность.
2. Макс. кинетическая энергия фотоэл-нов линейно возрастет с частотой света и не зависит от мощности светового излучения.
3. Если частота света некоторой опред. для данного в-ва минимальной частоты, то фотоэффект не происходит (красная граница фотоэффекта).
Эйнштейн выдвинул гипотезу, что свет распространяется в виде дискретных частиц – фотонов. Подтверждение гипотезы Эйнштейна дал опыт. Тонкая металлическая фольга помещалась между двумя горизонтальными счётчиками и освещалась слабым пучком рентгеновских лучей при этом она сама становилась источником. Вследствие малой интенсивности первичного пучка квантов испускаемых фольгой, кол-во испускаемых квантов невелико. Если бы излучаемая энергия распространялась равномерно во все стороны как это следует из волновых представлений классической физики, то оба счетчика срабатывали бы одновременно и на ленте были бы пометки одна напротив другой. В эксперименте наблюдалось хаотическое распространении отметок, это можно понять что в отдельных сектах испускания света летящая либо в одну либо в другую сторону. Энергия потока определяется его частотой часто вместо пользуются циклической частотой .
Эффект Комптона:
Комптон установил, что при прохождении пучка рентгеновских лучей через слой в-ва возникает рассеянное рентгеновское излучение с частотой, меньше частоты первичного пучка. Рентгеновский фотон с частотой v обладает энергией E и импульсом
p. При столкновении фотона с эл-ном, находящимся в покое, происходит передача части энергии и импульса фотона этому электрону. Уменьшение энергии фотона в рез-те столкновения приводит к уменьшению его частоты.
Элементы квантовой механики. Корпускулярно-волновой дуализм свойств в-ва. Соотношение неопределенностей. Ур-е Шредингера. Туннельный эффект. Волновая функция и её статистический смысл.
В создании квантовой теории большую роль сыграла гипотеза де Бройля. Согласно ей в-во, как и свет, обладает волновыми свойствами движущихся частиц.
- гипотеза в опытах Девисона – Джефирсона.
При наблюдении дифракции эл-на на поверхности, эл-ны, излучаемые вследствии электронной эмиссии из вольфрамовой нити проходили ряд диафрагмы. Никель мог поворачиваться и тем самым изменялся угол падения. Эл-ны падают на ряд параллельно кристаллографических плоскостей. В результате обнаружен ряд максимумов. Волны когерентны и создают максимумы при условии, что разность хода соседних лучей равняется .
Это доказывает, что всем микрочастицам присущи и корпускулярные и волновые св-ва и в тоже время их нельзя рассматривать и не частицей и не волной. В различных опытах микрочастица может проявлять себя как волна или промежуточным образом в этом состоит.
Соотношение неопределенностей:
Частица движется по неопределенной траектории. В каждый момент времени точно зафиксированы ее координаты и импульс. Это принципиально отличается от классических частиц, в том, что неправомерно говорить об определенной траектории микрочастицы и о понятии длины волны данной точки .
ГЕЙЗЕР сделал вывод что микрочастица не может быть меньше h.
Волновая функция и ее статистический смысл:
Для микрочастиц хар-ны неодинаковые распределения потоков микрочастиц по разным направлениям. В одних направлениях их больше, в других меньше. Интенсивность волны де Бройля больше там, куда больше попало частиц. Дифракционная картина для микрочастиц является следствием проявления статистической закономерности. Но нельзя говорить, что вероятность обнаружения частиц меняется по волновому з-ну. Изменяется не сама вероятность, а величина, которая называется амплитудой вероятности , , вероятность
Квадрат модуля волновой функции определяет вероятность нахождения частицы.
имеет смысл плотности вероятности и он определяет вероятность нахождения частицы в единичном объеме в окрестности точки с координатами x, y, z, а величина хар-зует вероятность нахождения частицы во всём пространстве от -∞ до + ∞.
В квантовой механике существует важнейшая проблема отыскания такого уравнения, с помощью котрого можно было бы описать движение тела в пространстве и во времени, учитывая то, что для частиц микромира характерна двойственность свойств, которая ограничивает возможность применения к таким частицам классических понятий о координате и скорости (или импульсе). Вероятностное (статистическое) истолкование волн де Бройля и соотношения неопределенностей указывают на то, что ур-е движения в квантовой механике должно быть таким, чтобы оно позволяло обьяснить наблюдаемые на опыте волновые св-ва частиц. Т.к. состояние частицы в пространстве в данный момент времени в квантовой механике задается волновой функцией (х, у, z, t), точнее величиной — вероятностью нахождения частицы в точке х, у, z в момент, основное ур-е квантовой механики является ур-м относительно ф-ии (х, у, z, t)
Это ур-е будет волновым,так как из него получают своё обьяснение зксперименты по дифракции микрочастиц, указывающие на их волновые св-ва.
Основное ур-е нерелятивистской квантовой механики было получено Шредингером (1926).
m- масса частицы, -потенциальная энергия частицы в силовом поле, где частица движется, должна быть конечной, непрерывной и однозначной, производные должны быть непрерывны.
Туннельный эффект:
E
O l x
Поведение частиц носит последовательный хар-р:
Частицы беспрерывно проходят над барьером и только на участке от 0 до l. будет снижение интенсивности, если
Частицы отражаются от барьера и движутся в обратную сторону. Совсем иначе ведёт себя частица в рамках квантового представления при существует вероятность, что частица пройдёт сквозь барьер и окажется в области из ур-я Шредингера прохождение частицы сквозь потенциальный барьер малой ширины при называется туннельным эффектомт.е. является квантовой механикой и связан с волнами св-вами частицы. Для перехода барьера высота , ширина l описывается формулой .
Оптика
гдеа-растояния предмета, R-радиус кривизны зеркала, F-фокусное расстояние.
для тонкой линзы ,помещенной в однородную среду,оптическая сила D
Поперечное увеличение в зеркалах илинзах ,увеличение лупы
; ; ; ; ; ; ;
Сила Лоренца
.
– Конец работы –
Используемые теги: атика, вращательного, движения, Угловая, Скорость, угловое, Ускорение, ное, Нормальное, Ускорение, момент, силы0.156
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Кинематика вращательного движения. Угловая скорость и угловое ускорение. Линейное и нормальное ускорение. Момент силы
Если этот материал оказался полезным для Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов