Монокристаллов

Выращивание профильных монокристаллов кремня методом Степанова
Принципиальная основа и методика получения фасонных изделий из металлов и полупроводников с использованием различных эффектов сил поверхностного… На этом основано формообразование профилированных кристаллов, принцип которого… Таким образом, формообразующее устройство в общем случае представляет собой довольно сложный комплекс элементов.Оно…

Выращивание профильных монокристаллов кремня методом Степанова
Принципиальная основа и методика получения фасонных изделий из металлов и полупроводников с использованием различных эффектов сил поверхностного… На этом основано формообразование профилированных кристаллов, принцип которого… Таким образом, формообразующее устройство в общем случае представляет собой довольно сложный комплекс элементов.Оно…

Особенности фотопроводимости монокристаллов сульфида кадмия при комбинированном возбуждении
Предварительный анализ 2. Распределение энергии в приконтактных слоях полупроводника с ловушками для электронов 3. Структура барьера в истощенном… Этим обеспечивается значительный интерес ко всем аспектам работы таких… Разумеется, это неизбежно должно сказываться и на контактирующей части полупроводникового кристалла.

1. Фотоэлектрические свойства неоднородных полупроводниковых образцов
2. Фотопроводимость при наличии запирающего барьера
3. Фотовольтаический эффект в полупроводниках с электрической неоднородностью
4. Энергетическая структура омического контакта в присутствии неравномерно распределенных электронных ловушек

Проект участка по производству монокристаллов GSGG-Nd3 (диаметр 20мм, длинна 150мм) производительностью 100 штук в год.
Гранаты выгодно отличаются от многих других классов лазерных материалов изотропией свойств, высокой механической прочностью теплопроводностью,… Среди лазерных гранатов большое практическое значение приобрел… Но иттрий-алюминиевый гранат обладает и рядом недостатков, которые вынуждают искать новые среды для твердотельных…

1. Структура проекта
2. Литературный обзор
3. Характер оборудования
4. Обоснование места размещения
5. Расчет числа ростовых установок
6. Расчет количества реактивов
7. Расчет других расходных материалов
8. Сводная таблица расходных материалов
9. Описание установки
10. Строительная часть
11. Технико-экономическое обоснование расширения опытно-экспериментального производства на базе ИОФРАН путем строительства нового участка по производству монокристаллов гадолиний-скандий-галлиевого граната в количестве
12. Режим работы участка и расчет эффективного времени работы оборудования
13. Определение стоимости строительства зданий и сооружений
14. Определение стоимости оборудования
15. Определение капитальных затрат
16. Определение баланса времени работы среднесписочного рабочего
17. Определение числа рабочих и фонда заработной платы
18. Расчет проектной себестоимости продукции
19. Определение стоимости электроэнергии
20. Проектная калькуляция себестоимости продукции
21. Основные технико-экономические показатели участка
22. Токсикологическая характеристика и взрыво-пожароопасные свойства применяемых веществ
23. Меры безопасности при работе с вредными веществами
24. Категорирование помещений
25. Меры безопасности при работе с ростовой установкой
26. Рабочее помещение
27. Режим личной безопасности