Твердотельная, Твердотельных

ЭПР-спектроскопия неупорядоченных и низкоразмерных твердотельных систем
Физический факультет... Кафедра общей физики и молекулярной электроники... Е А Константинова П К Кашкаров В Ю Тимошенко ЭПР спектроскопия неупорядоченных и низкоразмерных...

1. ЭПР-спектроскопия неупорядоченных и низкоразмерных твердотельных систем

Твердотельная электроника
На сайте allrefs.net читайте: "Твердотельная электроника"

1. Твердотельная электроника
2. Гуртов, В. А.
3. Зонная структура полупроводников
4. Статистика электронов и дырок в полупроводниках
5. Распределение квантовых состояний в зонах
6. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми
7. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике
8. Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике
9. Определение положения уровня Ферми
10. Проводимость полупроводников
11. Токи в полупроводниках
12. Неравновесные носители
13. Уравнение непрерывности
14. Ток термоэлектронной эмиссии
15. Эффект поля, зонная диаграмма при эффекте поля
16. Концентрация электронов и дырок в области пространственного заряда
17. Дебаевская длина экранирования
18. Зонная диаграмма барьера Шоттки при внешнем напряжении
19. Распределение электрического поля и потенциала в барьере Шоттки
20. Гетеропереходы
21. Зонная диаграмма приповерхностной области полупроводника в равновесных условиях
22. Уравнение Пуассона для ОПЗ
23. Выражение для заряда в ОПЗ
24. Избыток свободных носителей заряда
25. Среднее расстояние локализации свободных носителей от поверхности полупроводника
26. Форма потенциального барьера на поверхности полупроводника
27. Обеднение и слабая инверсия в примесном полупроводнике
28. Область обогащения и очень сильной инверсии в примесном полупроводнике
29. Емкость области пространственного заряда
30. Влияние вырождения на характеристики ОПЗ полупроводника
31. Основные определения
32. Природа поверхностных состояний
33. Статистика заполнения ПС
34. Уравнение электронейтральности
35. Определение типа проводимости полупроводниковой подложки
36. Определение толщины подзатворного диэлектрика
37. Определение величины и профиля концентрации легирующей примеси
38. Определение величины и знака встроенного заряда
39. Дифференциальный метод
40. Интегральный метод
41. Температурный метод
42. Виды флуктуаций поверхностного потенциала
43. Конденсаторная модель Гоетцбергера для флуктуаций поверхностного потенциала
44. Среднеквадратичная флуктуация потенциала, обусловленная системой случайных точечных зарядов
45. Потенциал, создаваемый зарядом, находящимся на границе двух сред с экранировкой
46. Поле заряда, расположенного под границей двух диэлектриков
47. Функция распределения потенциала при статистических флуктуациях
48. Зависимость величины среднеквадратичной флуктуации от параметров МДП-структуры
49. Пространственный масштаб статистических флуктуаций
50. Выпрямление в диоде
51. Характеристическое сопротивление
52. Варикапы
53. Влияние генерации, рекомбинации и объемного сопротивления базы на характеристики реальных диодов
54. Влияние объемного сопротивления базы диода на прямые характеристики
55. Влияние температуры на характеристики диодов
56. Стабилитроны
57. Туннельный пробой в полупроводниках
58. Лавинный пробой в полупроводниках
59. Приборные характеристики стабилитронов
60. Туннельный и обращенный диоды
61. Переходные процессы в полупроводниковых диодах
62. Основные физические процессы в биполярных транзисторах
63. Биполярный транзистор в схеме с общей базой. Зонная диаграмма и токи
64. Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой
65. Коэффициент инжекции
66. Коэффициент переноса. Фундаментальное уравнение теории транзисторов
67. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода
68. Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода
69. Коэффициент обратной связи
70. Объемное сопротивление базы
71. Тепловой ток коллектора
72. Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером
73. Дрейфовые транзисторы
74. Параметры транзистора как четырехполюсника.
75. Система z-параметров
76. Частотные и импульсные свойства транзисторов
77. Глава 6. Полевые транзисторы
78. Характеристики МОП ПТ в области плавного канала
79. Характеристики МОП ПТ в области отсечки
80. Эффект смещения подложки
81. Малосигнальные параметры
82. Методы определения параметров МОП ПТ из характеристик
83. Учет диффузионного тока в канале
84. Неравновесное уравнение Пуассона
85. Уравнение электронейтральности в неравновесных условиях
86. МОП ПТ с плавающим затвором
87. Приборы с зарядовой связью
88. Физические явления, ограничивающие микроминиатюризацию
89. Феноменологическое описание ВАХ динистора
90. Зонная диаграмма и токи диодного тиристора в открытом состоянии
91. Тринистор
92. Феноменологическое описание ВАХ тринистора
93. Требования к зонной структуре полупроводников
94. Статическая ВАХ арсенида галлия
95. Зарядовые неустойчивости в приборах с отрицательным дифференциальным сопротивлением
96. Глава 9. Классификация и обозначения полупроводниковых приборов
97. Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов
98. Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов
99. Графические обозначения и стандарты
100. Условные обозначения электрических параметров и сравнительные справочные данные полупроводниковых приборов
101. Основные обозначения
102. Диод выпрямительный
103. Биполярный транзистор
104. Полевой транзистор
105. Физические параметры важнейших полупроводников
106. Свойства диэлектриков
107. Список рекомендованной литературы