Кремня, Кремнии, Кремний, Кремния

Карбид кремния
Достигается это пропусканием через трубчатые нагреватели огромных токов, и концентрацией тепла внутри них теплоизоляцией графитовой тканью или… Частично эту проблему удалось решить, применяя тигли из высокоплотного… Для выращивания эпитаксиальных слоев (SiC)1-x(AlN)x на подложках SiC сублимационным «сэндвич»-методом нами была…

Химико-технологические системы производств кремния высокой чистоты
Рынок полупроводниковых приборов определяет требования к качеству и параметрам материала.Увеличение степени интеграции, уменьшение размера чипа и,… Для кремниевых технологий известна так называемая "бизнес-пирамида": полная… В настоящее время только четыре страны мира обладают многотоннажной технологией получения поликристаллического…

Кремний
Эти слои образуют земную кору и находятся на глубине до 35 км. В верхних слоях мантии (до 900 км) преобладают силикаты железа и магния. Ядро и… Горный хрусталь – совершенно прозрачные кристаллы кварца. В зависимости от… Анализ лунного грунта показал присутствие оксида кремния (IV) в количестве более 40%. В составе каменных метеоритов…

Монокристаллический кремний
Оборудование для роста кристаллов. Установка для выращивания кристалловпредставлена нарисунке2,и включает в себя… Тигли из карбида кремния такженеприемлимы.Несмотряна то что углерод являетьсяэлектрически нейтральной примесью…

Выращивание профильных монокристаллов кремня методом Степанова
Принципиальная основа и методика получения фасонных изделий из металлов и полупроводников с использованием различных эффектов сил поверхностного… На этом основано формообразование профилированных кристаллов, принцип которого… Таким образом, формообразующее устройство в общем случае представляет собой довольно сложный комплекс элементов.Оно…

Монокристаллический кремний
Оборудование для роста кристаллов. Установка для выращивания кристалловпредставлена нарисунке2,и включает в себя… Тигли из карбида кремния такженеприемлимы.Несмотряна то что углерод являетьсяэлектрически нейтральной примесью…

Кремний, полученный с использованием "геттерирования" расплава
Однако в результате таких воздействий на пластины ухудшаются механические свойства, что особенно заметно на подложках диаметром 100 и более… Известно, что при температурах выше 1000С кислород из выделений вновь… Использование в качестве геттера водорода, предложенное Декоком, не нашло применения в промышленности, так как…

Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Рассчитать и построить распределение указанной выше примеси Ga в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условия диффузии при… В курсовом проекте производится расчет распределения примеси вдоль слитка… Кроме того расчет распределения Ga в кремнии после диффузионного отжига при различных условиях диффузии.

Выращивание профильных монокристаллов кремня методом Степанова
Принципиальная основа и методика получения фасонных изделий из металлов и полупроводников с использованием различных эффектов сил поверхностного… На этом основано формообразование профилированных кристаллов, принцип которого… Таким образом, формообразующее устройство в общем случае представляет собой довольно сложный комплекс элементов.Оно…

Определение времени жизни носителей в высокоомном кремнии. Влияние времени жизни на параметры высоковольтных приборов на кремнии
Обычно путём облучения электронами, протонами или легированием примесями , дающими глубокие уровни в кремнии достигается компромисс между этими… Например, для многих приборов, таких как высоковольтные транзисторы, необходим… V th = (3kT/m) 1/2 » 10 7 см/сек – тепловая скорость носителей s p , s n – сечение захвата электронов и дырок…

1. Обзор литературы
2. Определение времени жизни по стандарту ASTM F
3. Механизмы рекомбинации

Определение времени жизни носителей в высокоомном кремнии. Влияние времени жизни на параметры высоковольтных приборов на кремнии
Обычно путём облучения электронами, протонами или легированием примесями , дающими глубокие уровни в кремнии достигается компромисс между этими… Например, для многих приборов, таких как высоковольтные транзисторы, необходим… V th = (3kT/m) 1/2 » 10 7 см/сек – тепловая скорость носителей s p , s n – сечение захвата электронов и дырок…

1. Обзор литературы
2. Определение времени жизни по стандарту ASTM F
3. Механизмы рекомбинации

Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния полученного методом карботермического восстановления от технологии его получения
Наиболее чистые материалы получают путем синтеза кремния в газовую фазу SiCl3, последующую очистку и восстановления чистого кремния. Данный метод достаточно дорог для солнечной энергетики, так как в солнечных… В связи с этим, рядом научных и производственных объединений Иркутской области ведутся работы по получению более…

1. Технология получения столбчатого мультикремния из кремния полученного методом карботермического восстановления
2. Электрофизические параметры и зависимость их от технологий производства
3. Понятие времени жизни
4. Установка для измерения жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках
5. Использованные источники

Определение времени жизни носителей в высокоомном кремнии. Влияние времени жизни на параметры высоковольтных приборов на кремнии
Обычно компромисс между этими конкурирующими параметрами достигается путм облучения электронами, протонами или легированием примесями , дающими… Также время жизни является важным параметром для характеризации высокоомного… В программах моделирования полупроводниковых приборов одномерных 1, двумерных 2 решаются стандартные уравнения…

1. Обзор литературы
2. Определение времени жизни по стандарту ASTM F
3. Механизмы рекомбинации

Определение времени жизни носителей в высокоомном кремнии. Влияние времени жизни на параметры высоковольтных приборов на кремнии
Обычно компромисс между этими конкурирующими параметрами достигается путм облучения электронами, протонами или легированием примесями , дающими… Также время жизни является важным параметром для характеризации высокоомного… В программах моделирования полупроводниковых приборов одномерных 1, двумерных 2 решаются стандартные уравнения…

1. Обзор литературы
2. Определение времени жизни по стандарту ASTM F
3. Механизмы рекомбинации