Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2

УПИ УГТУ Кафедра радиопримные устройства. Контрольная работа 2 по дисциплине Элементная база радиоэлектронной аппаратуры . Вариант 17 Шифр Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс 3 Работу не высылать. УПИ УГТУ Кафедра радиопримные устройства. Контрольная работа 2 по дисциплине Элементная база радиоэлектронной аппаратуры . Вариант 17 Шифр Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс 3 Работу не высылать. Аннотация.Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.

Исходные данные Тип транзистора ГТ310Б Величина напряжения питания Еп 5 В Сопротивление коллекторной нагрузки Rк 1,6 кОм Сопротивление нагрузки Rн . 1,8 кОм Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно- мкостной связью с нагрузкой.

Биполярный транзистор ГТ310Б. Краткая словесная характеристика Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,1 г Электрические параметры.Коэффициент шума при 1,6 МГц, Uкб 5 В, IЭ 1 мА не более . 3 дБ Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб 5 В, IЭ 1 мА, 50 1000 Гц 180 Модуль коэффициента передачи тока H21э при Uкб 5 В, IЭ 5 мА, 20 МГц не менее 8 Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб 5 В, IЭ 5 мА, 5 МГц не более . 300 пс Входное сопротивление в схеме с общей базой при Uкб 5 В, IЭ 1 мА 38 Ом Выходная проводимость в схеме с общей базой при Uкб 5 В, IЭ 1 мА, 50 1000 Гц не более 3 мкСм мкость коллектора при Uкб 5 В, 5 МГц не более 4 пФ Предельные эксплуатационные данные. Постоянное напряжение коллектор- эмиттер при Rбэ 10 кОм . 10 В при Rбэ 200 кОм 6 В Постоянное напряжение коллектор- база 12 В Постоянный ток коллектора 10 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т 233 308 К 20 мВт Тепловое сопротивление переход- среда 2 КмВт Температура перехода . 348 К Температура окружающей среды От 233 до 328 К Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т 328 К определяется по формуле PК.макс 348 Т 2 Входные характеристики. Для температуры Т 293 К Iб, мкА200160120804000,050,10,150,20,250,30, 35Uбэ,В Выходные характеристики.

Для температуры Т 293 К Iк , мА 9876543210123456Uкэ,В Нагрузочная прямая по постоянному току. Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току для схемы включения с общим эмиттером Построим нагрузочную прямую по двум точкам при Iк 0, Uкэ Еп 9 В, и при Uкэ 0, Iк Еп Rк 9 1600 5,6 мА Iк , мА 6 54 А3 Iк021012345 Uкэ06789 Еп Uкэ,В Iб, мкА504030 Iб020100 0,150,170,190,210,230,250,270,29 Uбэ00,31Uбэ,В Параметры режима покоя рабочей точки А Iк0 3 мА, Uкэ0 4,2 В, Iб0 30 мкА, Uбэ0 0,28 В Величина сопротивления Rб Определим H параметры в рабочей точке. Iк , мА 6 5 4ДIк0 3 ДIк 21012345 Uкэ06789 Еп Uкэ,В ДUкэ Iб, мкА5040 ДIб 30 Iб020100 0,150,170,190,210,230,250,270,29 Uбэ00,31Uбэ, В ДUбэ ДIк0 1,1 мА, Iб0 10 мкА, Uбэ 0,014 В, ДIб 20 мкА, Uкэ 4 В, Iк 0,3 мА H-параметры Определим G параметры.

Величины G-параметров в рабочей точке определим путм пересчта матриц G-параметр G11э 1,4 мСм, G12э - 0,410 6 G21э 0,15 , G22э 4,110 3 Ом Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора. Схема Джиаколетто физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора Величины элементов физической эквивалентной схемы транзистора и собственная постоянная времени транзистора определяются соотношениями упрощнными Собственная постоянная времени транзистора Крутизна Определим граничные и предельные частоты транзистора.

Граничная частота коэффициента передачи тока Предельная частота коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эммитером Максимальная частота генерации Предельная частота коэффициента передачи тока эммитера в схеме с общим эммитером Предельная частота проводимости прямой передачи Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную прямую.

Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя Iк0 3 мА, Uкэ0 4,2 В и точку с координатами Iк 0, Uкэ Uкэ0 Iк0R 4,2 310 3 847 6,7 В Iк , мА 6 54 А3 Iк021012345 Uкэ06789 Еп Uкэ,В Определим динамические коэффициенты усиления.

Iк , мА 6 5 А4 ДIк 3 Iк021012345 Uкэ06789 Еп Uкэ,В ДUкэ Iб, мкА5040 ДIб 30 Iб020100 0,150,170,190,210,230,250,270,29 Uбэ00,31Uбэ,В ДUбэ ДIк 2,2 мА, Uкэ 1,9 В, Iб 20 мкА, Uбэ 0,014 В Динамические коэффициенты усиления по току КI и напряжению КU определяются соотношениями Выводы Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.

Библиографический список. 1 А Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. Энергоатомиздат, 1989 г 2 Батушев В.А. Электронные приборы учебник для вузов М. Высш.шк 1980г. 3 Батушев В.А. Электронные приборы учебник для вузов М. Высш.шк 1969г. 4 Справочник Полупроводниковые приборы транзисторы М. Энергоатомиздат, 1985г 5 Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам М. Энергия, 1976г 6 Справочник Транзисторы для аппаратуры широкого применения М. Радио и связь, 1981г.