рефераты конспекты курсовые дипломные лекции шпоры

Реферат Курсовая Конспект

Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2

Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2 - Контрольная Работа, раздел Связь, Упи Угту Кафедра Радиопримные Устройства. Контрольная Работа 2 По Дисциплине...

УПИ УГТУ Кафедра радиопримные устройства. Контрольная работа 2 по дисциплине Элементная база радиоэлектронной аппаратуры . Вариант 17 Шифр Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс 3 Работу не высылать. УПИ УГТУ Кафедра радиопримные устройства. Контрольная работа 2 по дисциплине Элементная база радиоэлектронной аппаратуры . Вариант 17 Шифр Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс 3 Работу не высылать. Аннотация.Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.

Исходные данные Тип транзистора ГТ310Б Величина напряжения питания Еп 5 В Сопротивление коллекторной нагрузки Rк 1,6 кОм Сопротивление нагрузки Rн . 1,8 кОм Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно- мкостной связью с нагрузкой.

Биполярный транзистор ГТ310Б. Краткая словесная характеристика Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,1 г Электрические параметры.Коэффициент шума при 1,6 МГц, Uкб 5 В, IЭ 1 мА не более . 3 дБ Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб 5 В, IЭ 1 мА, 50 1000 Гц 180 Модуль коэффициента передачи тока H21э при Uкб 5 В, IЭ 5 мА, 20 МГц не менее 8 Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб 5 В, IЭ 5 мА, 5 МГц не более . 300 пс Входное сопротивление в схеме с общей базой при Uкб 5 В, IЭ 1 мА 38 Ом Выходная проводимость в схеме с общей базой при Uкб 5 В, IЭ 1 мА, 50 1000 Гц не более 3 мкСм мкость коллектора при Uкб 5 В, 5 МГц не более 4 пФ Предельные эксплуатационные данные. Постоянное напряжение коллектор- эмиттер при Rбэ 10 кОм . 10 В при Rбэ 200 кОм 6 В Постоянное напряжение коллектор- база 12 В Постоянный ток коллектора 10 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т 233 308 К 20 мВт Тепловое сопротивление переход- среда 2 КмВт Температура перехода . 348 К Температура окружающей среды От 233 до 328 К Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т 328 К определяется по формуле PК.макс 348 Т 2 Входные характеристики. Для температуры Т 293 К Iб, мкА200160120804000,050,10,150,20,250,30, 35Uбэ,В Выходные характеристики.

Для температуры Т 293 К Iк , мА 9876543210123456Uкэ,В Нагрузочная прямая по постоянному току. Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току для схемы включения с общим эмиттером Построим нагрузочную прямую по двум точкам при Iк 0, Uкэ Еп 9 В, и при Uкэ 0, Iк Еп Rк 9 1600 5,6 мА Iк , мА 6 54 А3 Iк021012345 Uкэ06789 Еп Uкэ,В Iб, мкА504030 Iб020100 0,150,170,190,210,230,250,270,29 Uбэ00,31Uбэ,В Параметры режима покоя рабочей точки А Iк0 3 мА, Uкэ0 4,2 В, Iб0 30 мкА, Uбэ0 0,28 В Величина сопротивления Rб Определим H параметры в рабочей точке. Iк , мА 6 5 4ДIк0 3 ДIк 21012345 Uкэ06789 Еп Uкэ,В ДUкэ Iб, мкА5040 ДIб 30 Iб020100 0,150,170,190,210,230,250,270,29 Uбэ00,31Uбэ, В ДUбэ ДIк0 1,1 мА, Iб0 10 мкА, Uбэ 0,014 В, ДIб 20 мкА, Uкэ 4 В, Iк 0,3 мА H-параметры Определим G параметры.

Величины G-параметров в рабочей точке определим путм пересчта матриц G-параметр G11э 1,4 мСм, G12э - 0,410 6 G21э 0,15 , G22э 4,110 3 Ом Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора. Схема Джиаколетто физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора Величины элементов физической эквивалентной схемы транзистора и собственная постоянная времени транзистора определяются соотношениями упрощнными Собственная постоянная времени транзистора Крутизна Определим граничные и предельные частоты транзистора.

Граничная частота коэффициента передачи тока Предельная частота коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эммитером Максимальная частота генерации Предельная частота коэффициента передачи тока эммитера в схеме с общим эммитером Предельная частота проводимости прямой передачи Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную прямую.

Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя Iк0 3 мА, Uкэ0 4,2 В и точку с координатами Iк 0, Uкэ Uкэ0 Iк0R 4,2 310 3 847 6,7 В Iк , мА 6 54 А3 Iк021012345 Uкэ06789 Еп Uкэ,В Определим динамические коэффициенты усиления.

Iк , мА 6 5 А4 ДIк 3 Iк021012345 Uкэ06789 Еп Uкэ,В ДUкэ Iб, мкА5040 ДIб 30 Iб020100 0,150,170,190,210,230,250,270,29 Uбэ00,31Uбэ,В ДUбэ ДIк 2,2 мА, Uкэ 1,9 В, Iб 20 мкА, Uбэ 0,014 В Динамические коэффициенты усиления по току КI и напряжению КU определяются соотношениями Выводы Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.

Библиографический список. 1 А Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. Энергоатомиздат, 1989 г 2 Батушев В.А. Электронные приборы учебник для вузов М. Высш.шк 1980г. 3 Батушев В.А. Электронные приборы учебник для вузов М. Высш.шк 1969г. 4 Справочник Полупроводниковые приборы транзисторы М. Энергоатомиздат, 1985г 5 Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам М. Энергия, 1976г 6 Справочник Транзисторы для аппаратуры широкого применения М. Радио и связь, 1981г.

– Конец работы –

Используемые теги: Элементная, База, радиоэлектронной, аппаратуры-20.072

Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2

Что будем делать с полученным материалом:

Если этот материал оказался полезным для Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:

Еще рефераты, курсовые, дипломные работы на эту тему:

Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1
Диод 2Д510А Краткая словесная характеристика диода. Диод кремниевый эпитаксиально- планарный. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. … Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при не Iпр 200 мА более…

Основные этапы и направления развития элементной базы РЭС и устройств функциональной микроэлектроники
Особенно быстро она стала развиваться с начала 60-х гг когда достижения физики создали основу для появления микроэлектроники.Это привело к… Четвертый этап продолжается и в настоящее время. Существуют и другие… В интегральной микроэлектронике сохраняется главный принцип дискретной электроники, основанной на разработке…

ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ
МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ПРИБОРОСТРОЕНИЯ И ИНФОРМАТИКИ...

Характеристика бази практики. Історична довідка та коротка характеристика бази практики. Схема управління підприємством
Вступ... Характеристика бази практики... Історична довідка та коротка характеристика бази практики...

Определение элементного состава вещества полимера или олигомера методами количественного органического элементного микроанализа
Линейные полимеры при пиролизе разлагаются до осколков макромолекул или до... Масса полимера в лодочке мг Температура пиролиза С Газообразные продукты собирают в кюветном...

Теоретична довідка до ПР №8 Побудова інфологічної моделі бази даних. Створення таблиць бази даних
Постановка задачі... Побудувати працездатну базу даних Облік товару для вирішення облікової задачі... Особливості СУБД Access...

Реляционные Базы Данных. SQL - стандартный язык реляционных баз данных
В компьютере, например, можно хранить фамилии и адреса друзей или клиентов. Один из типов баз данных - это документы, набранные с помощью текстовых… Другой тип - файлы электронных таблиц, объединяемые в группы по характеру их использования.

Телемеханические системы на релейной и транзисторной элементной базе
Канал ТУ занимает полосу частот 400—900 Гц, а канал ТС — полосу 1500—2700 Гц, т.е. в системе используется стандартный телефонный канал тональной… Он имеет служебное значение и предназначен для синхронизации переключения… В канале ТУ используется код 9СЗ, в котором три импульса имеют активное значение, а остальные — пассивное. Это…

Состав элементной базы СМЭ
Схемотехническая интеграция – это технологическая интеграция. Функциональная интеграция – это физическая интеграция.Функциональная… При создании устройств функциональной электроники могут быть использованы различные материалы – полупроводники,…

Содержание образования как средство развития личности и формирования её базовой культуры
Для того чтобы обучение и воспитание детей велось с учетом имеющихся научно-психологических знаний, в системе образования создается и функционирует… На всем протяжении жизни ребенка он должен находиться в сфере внимания со… Объектом исследования данной курсовой работы является целостный педагогический процесс. Предметом исследования работы…

0.035
Хотите получать на электронную почту самые свежие новости?
Education Insider Sample
Подпишитесь на Нашу рассылку
Наша политика приватности обеспечивает 100% безопасность и анонимность Ваших E-Mail
Реклама
Соответствующий теме материал
  • Похожее
  • По категориям
  • По работам
  • Туристическая База Вид фундамента по: • конструктивной схеме - столбчатый - под колонны и ленточный - под несущие стены • материалу фундамента - железобетонный; •… Материалы для фасадной отделки здания: желтый и красный кирпич, цоколь -… Виды применяемых перекрытий: • по местоположению в здании: а) междуэтажные - разделяющие в здании один этаж от…
  • Базовые параметры финансового менеджмента Информационная система финансового менеджмента представляет собой функциональный комплекс, обеспечивающий процесс непрерывного целенаправленного… Информационная система финансового менеджмента призвана обеспечивать… Подавляющая часть этой информации содержится в официальной финансовой отчетности, представляемой предприятием.…
  • Создание базы данных геореференсированных фотографических изображений почв в on-line доступе Второй заключается в работе с данными дистанционного зондирования, которые позволяют результаты, полученные при точечных наблюдениях, распространить… Взаимодействие этих двух подходов достигается следующим образом. Благодаря… После того, как найдены соответствия, рассчитываются стохастические многопараметрические связи почвенных свойств и…
  • Базилика Когда после издания в 313 Миланского эдикта о веротерпимости христианам было разрешено открыто исповедовать свою веру, базилики послужили прототипом… Публика следила за ходом разбирательства, стоя в нефах. Приспособление… Когда в 4 в. христиане сделали базилику местом богослужений, оказалось, что ее внутреннее устройство вполне подходит…
  • Структура радиоэлектронного канала утечки информации На сайте allrefs.net читайте: "Структура радиоэлектронного канала утечки информации"