Экранирование, Экранирования
Экранирование, Экранирования - используемый тег на сайте, здесь можно скачать или скопировать материал при условии соблюдения авторских прав его правообладателя.Экранирование, Экранирования Все работы по данной метке.
Экранирование электрического поля в полупроводниках. Дебаевская длина экранирования. Эффект поля
Система с зарядами экранирует внешнее поле если носители заряда связаны с атомами то уравнение Пуассона описывает экранирование электрического... уравнение Пуассона описывает экранирование эл поля в среде...
- Поверхность и поверхностные состояния, уровень электронейтральности.
- Уровень электронейтральности и пиннинг уровня Ферми
- Р-n переходе.
- ВАХ реального диода.
- Проблема пиннинга уровня Ферми поверхностными состояниями.
- Контакты металл – полупроводник.
- ВАХ контакта Шоттки.
- Распределение квазиуровней Ферми.
- Вычисление теплоемкости дял промежуточных температур.
- Экспериментальные методы исследования фононного спектра.
- Критерий Линдемана
- Зависимость ширины запрещенной зоны полупроводников IV группы и соединений АIIIBV от давления.
- Природа и свойства связанных состояний.
- Сильнолегированные и аморфные полупроводники, структура энергетического спектра.
- Механизмы локализации носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках.
- Свойства глубоких уровней.
- Методы описания
- Оптические свойства диэлектриков.
- Парамагнетизм Паули. Закон Кюри для магнитной восприимчивости твердых тел с локализованными моментами.
- Приближение среднего поля.
- Молекулярное поле Вейсса. Микроскопическая природа ферромагнетизма и опыт Дорфмана.
- Опыт Дорфмана.
- Микроскопическая природа ферромагнетизма
- Обменное взаимодействие.
- Магнитоэлектроника. Магнитные домены и доменные границы. Магниторезистивный эффект. Магнитные элементы памяти.
- Квантование магнитного потока в сверхпроводниках.
- Теория Гинзбурга-Ландау
- Стационарный и нестационарный эффекты Джозефсона.
Экранирование электрического поля в полупроводниках. Дебаевская длина экранирования. Эффект поля
Система с зарядами экранирует внешнее поле если носители заряда связаны с атомами то уравнение Пуассона описывает экранирование электрического... уравнение Пуассона описывает экранирование эл поля в среде...
- Поверхность и поверхностные состояния, уровень электронейтральности.
- Уровень электронейтральности и пиннинг уровня Ферми
- Р-n переходе.
- ВАХ реального диода.
- Проблема пиннинга уровня Ферми поверхностными состояниями.
- Контакты металл – полупроводник.
- ВАХ контакта Шоттки.
- Распределение квазиуровней Ферми.
- Вычисление теплоемкости дял промежуточных температур.
- Экспериментальные методы исследования фононного спектра.
- Критерий Линдемана
- Зависимость ширины запрещенной зоны полупроводников IV группы и соединений АIIIBV от давления.
- Природа и свойства связанных состояний.
- Сильнолегированные и аморфные полупроводники, структура энергетического спектра.
- Механизмы локализации носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках.
- Свойства глубоких уровней.
- Методы описания
- Оптические свойства диэлектриков.
- Парамагнетизм Паули. Закон Кюри для магнитной восприимчивости твердых тел с локализованными моментами.
- Приближение среднего поля.
- Молекулярное поле Вейсса. Микроскопическая природа ферромагнетизма и опыт Дорфмана.
- Опыт Дорфмана.
- Микроскопическая природа ферромагнетизма
- Обменное взаимодействие.
- Магнитоэлектроника. Магнитные домены и доменные границы. Магниторезистивный эффект. Магнитные элементы памяти.
- Квантование магнитного потока в сверхпроводниках.
- Теория Гинзбурга-Ландау
- Стационарный и нестационарный эффекты Джозефсона.
Если Вам нужно дополнительный материал на эту тему, или Вы не нашли то, что искали, рекомендуем воспользоваться поиском по нашей базе работ:
Сохранить или поделиться страницей
Если этот материал оказался полезным ля Вас, Вы можете сохранить его на свою страничку в социальных сетях:
Твитнуть |
Новости и инфо для студентов