Микроэлектр

Дисциплины ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение... Высшего профессионального образования... Тульский государственный университет...

1. Согласования рабочей программы
2. Цели и задачи освоения дисциплины
3. Место дисциплины в структуре ООП ВПО
4. Образовательные технологии
5. Оценочные средства для текущего контроля успеваемости и промежуточной аттестации
6. Порядок проведения текущих и промежуточных аттестаций. Шкалы оценок
7. Учебно-методическое обеспечение дисциплины (модуля)
8. Дополнения и изменения в рабочей программе

ВВЕДЕНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКУ
технический университет... Е П Новокрещенова...

1. Исторический обзор
2. Полупроводниковые ИМС
3. Основные принципы интегральной технологии
4. Гибридные и совмещенные интегральные схемы
5. Степень интеграции
6. Собственные и примесные полупроводники
7. Полупроводников (p-n переход)
8. Основные этапы технологии ИМС
9. Выбор полупроводникового материала
10. Получение полупроводникового материала
11. Получение полупроводниковых пластин
12. Получение эпитаксиальных структур
13. Методы формирования элементов ИМС
14. Общая характеристика технологического процесса производства ИМС
15. Типы структур ИМС
16. Требования к кремниевым пластинам
17. Микроклимат и производственная гигиена
18. Термическая диффузия примесей
19. Ионное легирование
20. Эпитаксия
21. Свойства пленки двуокиси кремния
22. Травление
23. Нанесение тонких пленок
24. Проводники соединений и контакты в полупроводниковых ИМС
25. Литография
26. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
27. Индексы Миллера
28. БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

Проблемы и перспективы микроэлектроники и смежных отраслей промышленности
На сайте allrefs.net читайте: "Проблемы и перспективы микроэлектроники и смежных отраслей промышленности"

1. B (6%) 2009
2. При принятии последующих федеральных бюджетов запланировано целевое финансирование на эти цели в размере 500 миллионов долларов.
3. Но неэффективных достижений.
4. Проблема безопасности

Основные этапы и направления развития элементной базы РЭС и устройств функциональной микроэлектроники
Особенно быстро она стала развиваться с начала 60-х гг когда достижения физики создали основу для появления микроэлектроники.Это привело к… Четвертый этап продолжается и в настоящее время. Существуют и другие… В интегральной микроэлектронике сохраняется главный принцип дискретной электроники, основанной на разработке…

Физические основы микроэлектроники
При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе.Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs… В иностранной литературе последнему названию соответствует термин ТЭД… При напряженности поля выше 15 20 кВсм средняя скорость электронов почти не зависит от поля и составляет около 107…

Микроэлектроника
Развитие изделий электроники от поколения к поколению идет в направлении их функционального усложнения, повышения надежности и срока службы,… Разрабатываемые сейчас сложные системы содержат десятки миллионов элементов.В… Становление микроэлектроники как самостоятельной науки стало возможным благодаря использованию богатого опыта и базы…

Получение сверхчистых материалов для микроэлектроники
К таким материалам, используемым в микроэлектронике относится, германий, ещ недавно не находивший применения в технике. Стал одним из важнейших… В полупроводниковой технике, важнейший и пока практически единственно области… Техника получения монокристаллов германия высокой чистоты разработана в настоящее время достаточно надежно и…

Физика поверхности и микроэлектроника
Высокотемпературная сверхпроводимость Заключение Список литературы Введение Микроэлектроника в своем сравнительно недолгом развитии прошла путь от… Основополагающей в развитии микроэлектроники явилась идея интеграции -… Такая технология получила название планарной (от латинского корня, обозначаю¬щего плоскость) и, как видно из…

1. Этапы развития физики поверхности
2. Геттерирование в микроэлектронике
3. Влияние поверхности на работу полупроводниковых приборов

Туннелирование в микроэлектронике
III Совершенно иначе поведение частицы по законам квантовой механики. Во-первых, даже при E U0 имеется отличная от ну- 0 l x ля вероятность того,… Поэтому ограничимся рассмотрением областей I и II. I примет вид , 1.2 введя… Слагаемое соответствует волне, распространяющейся в области I в направлении, противоположном х. Это волна, отражённая…

1. Структура металл-диэлектрик-металл
2. Токоперенос в тонких плёнках
3. Туннельный пробой в p-n-переходе
4. Эффекты Джозефсона

Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)
Одной из составных частей данной науки является схемотехническая микроэлектроника. На каждом новом этапе развития технологии производства интегральных микросхем … В частности, использование СБИС в вычислительной технике позволило создание высокопроизводительных микропроцессоров…

1. Описание схемы для разработки
2. Технологические этапы изготовления ИМС
3. Последовательность расчета параметров биполярного транзистора
4. Последовательность расчета параметров интегральных резисторов
5. Особенности топологии разрабатываемой ИМС