Полупроводниковых, Полупроводниковыми

Пороговые устройства. Триггеры Шмитта. Классификация и основные характеристики полупроводниковых ЗУ
Комплексная цель третьего модуля... Познакомиться с основами структурной и функциональной организации буферных... Пороговые устройства Триггеры Шмитта...

1. Буферные элементы
2. Формирование импульсов
3. Генераторы прямоугольных импульсов.
4. Запоминающие устройства
5. Типы ЗУ и их назначение
6. Постоянные запоминающие устройства
7. Наращивание размерности блока постоянной памяти
8. Статические оперативные запоминающие устройства
9. Наращивание размерности блока статического ОЗУ.
10. Динамические оперативные запоминающие устройства
11. Часть 1

Нанотехнологии на основе полупроводниковых Материалов
профессионального образования... Южно Российский государственный технический университет... Новочеркасский политехнический институт...

1. Физические и технологические основы наноэлектроники
2. Локальная глубинная модификация поверхности
3. Межэлектродный массоперенос
4. Локальное анодное окисление
5. Атомная сборка

Признаки классификации полупроводниковых приборов
Приборы одного типа подразделяются на классы: - диоды — по значениям повторяющегося импульсного обратного напряжения, - тиристоры - по значениям… Кроме того, виды диодов и тиристоров подразделяются на подвиды в зависимости… В зависимости от отличительных признаков диоды и тиристоры подразделяются следующим образом: - тиристор, управляемый с…

Физические основы полупроводниковых приборов
Германий и кремний – элементы четвертой группы периодической системы Д.И. Менделеева, т.е. являются четырехвалентными элементами. В валентной зоне… Связь между атомами в таких решетках парноэлектронная или ковалентная. Каждый… Свободных электронов, которые могли бы участвовать в переносе зарядов, нет. Чистые полупроводники при нуле абсолютной…

Оценка теплового режима ИМС. Расчет надежности полупроводниковых ИМС по внезапным отказам
Пленочная коммутация ИМС благодаря малому электрическому сопротивлению и высокой теплопроводности металлических пленок способствует отводу теплоты… Удельная мощность рассеяния (Р0, Вт/°С) — плотность теплового потока от…

Конструкции элементов полупроводниковых микросхем на МДП-транзисторах
ПРИНЦИПЫ РАБОТЫ И КЛАССИФИКАЦИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ Транзисторы со структурой МДП представляют собой одну из разновидностей полевых транзисторов -… МДП-транзисторы имеют существенные преимущества перед биполярными по… МДП-транзистор имеет четыре электрода: исток, сток, затвор и подложку.Полупроводниковая область, от которой начинается…

Исследование полупроводниковых приборов
Ил.78, табл.13, список лит. – 4 назв. Одобрено учебно-методической комиссией энергетического факультета. Рецензенты: Сарваров А.С Мартынов В.П. ISBN… Основная задача данного цикла лабораторных работ – научить студентов работать… Для проверки знаний студентов перед лабораторной работой проводится коллоквиум на основе контрольных вопросов,…

Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и слоистых структур
Цель дипломной работы состояла в постановке лабораторной работы исследовательского характера для практикума по физике полупроводниковых приборов по… Дипломная работа и описанная в ней лабораторная работа позволяет эффективно… В В Е Д Е Н И Е Современные условия жизни требуют от студентов хорошую теоретическую подготовку и, что особенно важно,…

Силовые схемы электровозов переменного тока с полупроводниковыми выпрямителями на примере электровоза ВЛ80 р
Работа написана на 23 листа, с использованием 5 источников информации, содержит 11 рисунков. 1. Построение силовых цепей На электровозах ВЛ80р… Каждый ВИП собран на управляемых вентилях (тиристорах) и имеет восемь плеч,…

1. Построение силовых цепей

Синтез нанокристаллических полупроводниковых частиц
Повышенный интерес к наноматериалам можно объяснить двумя основными причинами. Во-первых, уменьшение размера кристаллитов является традиционным способом… Их можно разделить на несколько основных групп: -высокоэнергетические методы (испарение с последующей конденсацией,…

1. Твердофазный синтез в стекле
2. Осаждение из растворов
3. Экспериментальная часть
4. Синтез нанокристаллов в стеклянной матрице
5. Оптические измерения

Методы выращивания тонких полупроводниковых пленок
Уже более тридцати лет развитие физики и технологии тонких полупроводниковых п п пленок и тонкопленочных структур оказывает существенное влияние на… Первоначально применение п п пленок отличалось известным эмпиризмом, т. к.… Изучение электрических, оптических и др. физических свойств пленок элементарных п п и п п соединений, позволило…

1. Термическое вакуумное напыление
2. Катодное и ионно-плазменное напыление
3. Приборы и устройства для исследования структуры слоев