Биполярных, Биполярного, Биполярные, Биполярном

УСИЛИТЕЛИ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Федеральное агентство по образованию... Государственное образовательное учреждение высшего профессионального... Тамбовский государственный технический университет...

1. Основные характеристики и параметры усилителей.
2. Анализ работы транзисторного усилителя.
3. Усилители на полевых транзисторах

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Федеральное агентство по образованию... Государственное образовательное учреждение высшего профессионального... Тамбовский государственный технический университет...

1. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов
2. Режимы работы и схемы включения биполярных транзисторов
3. Физические процессы в БТ при его работе в активном режиме
4. Частотные характеристики биполярных транзисторов
5. Различных режимах работы транзистора

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Федеральное агентство по образованию... Государственное образовательное учреждение высшего профессионального... Тамбовский государственный технический университет...

1. Устройство и принцип действия стабилитрона и варикапа.
2. Устройство и принцип действия тиристора.
3. Устройство и принцип действия фотодиода
4. Двухполупериодный выпрямитель.

Биполярные транзисторы
Определение и условное графическое обозначение... Типы транзисторов и их диодные схемы замещения... p n p...

1. Схемы включения и их статические параметры
2. Влияние температуры на статические параметры

Биполярные транзисторы
Определение... Транзистор ППП с мя электродами служащий для усиления сигналов в общем случае по мощности или их...

1. Биполярные транзисторы
2. Типы транзисторов и их диодные схемы замещения.
3. Физические явления в транзисторах.
4. Подача напряжений питания.
5. Схемы включения и статические параметры.
6. Ток коллектора.
7. H и Y параметры транзисторов
8. Динамические параметры.
9. Предельно допустимые параметры.

УСИЛИТЕЛИ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
На сайте allrefs.net читайте: УСИЛИТЕЛИ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ.

1. Режимы работы транзистора в усилителе
2. Усилитель с эмиттерной стабилизацией

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Биполярный транзистор это полупроводниковый прибор с двумя p n переходами имеющий три вывода Действие биполярного транзистора основано на... Биполярный транзистор является наиболее распрост раненным активным... Временные диаграммы токов Транзистора при его вхождении в активный режим работы и...

1. Устройство и основные физические процессы
2. Характеристики и параметры
3. Математические модели биполярного транзистора
4. Анализ схем с транзисторами
5. Три схемы включения транзистора с ненулевым сопротивлением нагрузки
6. H-параметры транзистора
7. Транзистора при его вхождении в активный режим работы и частотные (динамические) свойства
8. И система обозначений

ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Кафедра радиосвязи радиовещания и телевидения... ОТЧ Т ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ...

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ

Оконечные и промежуточные усилительные каскады на биполярном транзисторе
На сайте allrefs.net читайте: Оконечные и промежуточные усилительные каскады на биполярном транзисторе.

1. Оконечные и промежуточные усилительные каскады на биполярном транзисторе
2. Анализ каскада в области средних частот
3. Коэффициент усиления
4. Входное сопротивление
5. Выходное сопротивление
6. Анализ каскада в области нижних частот
7. Анализ каскада в области верхних частот

Физико-топологическая модель интегрального биполярного п-р-п-транзистора
Многие из этих параметров зависят от профиля легирования (распределения концентрации легирующих примесей вглубь) транзисторной…

Усилительный каскад на биполярном транзисторе
Электрические параметры Граничное напряжение при Iэ=50 мА, =5 мкс, f=2 кГц …70 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=50 мА, …

Конструктивно-технологические варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле. Инжекционно-полевая логика
Для обеспечения большого коэффициента передачи тока и высокой граничной частоты биполярного транзистора база также должна быть тонкой.Но при… Один из вариантов такого рода структур, характеризующийся малым напряжением… Подложка имеет кристаллографическую ориентацию (100). Далее проводится диффузия для формирования областей n+ -типа…

Биполярные транзисторы
Устройство плоскостного биполярного транзистора показано схематически на рис. 5.1. Рис. 1. Устройство плоскостного биполярного транзистора… Широко применяются также транзисторы типа p–n–p, в которых дырочной… Это является условием хорошей работы транзистора. Кроме того, концент`рация примесей в базе всегда значительно меньше,…

Биполярные транзисторы
В настоящее время изготавливаются и применяются исключительно транзисторы с плоскостными р-n- переходами.Устройство плоскостного биполярного…

Новые подходы к лечению депрессий при аффективных расстройствах биполярного типа
Иными словами, такие депрессии близки к атипичным по DSM-IV. При биполярном аффективном расстройстве чаще возникают психотические депрессии. Особую… Как правило, монотерапия депрессий при биполярных расстройствах оказывается… Нормотимики Специфической группой препаратов для лечения биполярного расстройства являются нормотимики.

Расчет корректирующих цепей широкополосных усилительных каскадов на биполярных транзисторах
Для всех схемных решений построения усилительных каскадов на БТ приведены примеры расчета. ВВЕДЕНИЕ В теории усилителей нет достаточно обоснованных… При этом, разные разработчики, чаще всего, по-разному решают поставленные… В справочной литературе значения и часто приводятся измеренными при различных значениях напряжения коллектор-эмиттер .…

Усилительные каскады переменного тока на биполярных транзисторах
Однако среди этого многообразия можно выделить наиболее типичные схемы, содержащие элементы и цепи, которые чаще всего встречаются в усилительных… Современные усилители выполняются преимущественно на биполярных и полевых… Схемные же построения принципиальных отличий не имеют. Наибольшее распространение получили каскады на биполярных и…

1. ПОНЯТИЕ О КЛАССАХ УСИЛЕНИЯ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ
2. МЕТОД РАСЧЕТА СХЕМ С НЕЛИНЕЙНЫМ ЭЛЕМЕНТОМ

Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов
В 1923-1924 гг. Лосев О.В. обнаружил наличие отрицательного дифференциального сопротивления и явление люминесценции в точечных контактных… В 1940 году был изготовлен первый точечный диод. В 1948 году американский… В 1956 г. началось производство транзисторов с базой, полученной методом диффузии.

1. ОБЩАЯ ЧАСТЬ
2. Перечень используемых обозначений
3. Выбор технологии изготовления транзистора
4. Сплавно-диффузионные транзисторы
5. ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ
6. Расчёт толщины базы и концентраций примесей
7. Расчет емкостей и размеров переходов
8. Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот
9. Расчет обратных токов коллектора
10. Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры
11. Расчёт эксплутационных параметров
12. Выбор корпуса транзистора
13. Обсуждение результатов